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基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究
1
作者
范真
丁建宁
+3 位作者
朱守星
解国新
凌智勇
杨平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期132-134,共3页
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨。试验观察的结果表明...
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨。试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除。
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关键词
AFM
信息存储
GeSbTe膜
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职称材料
题名
基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究
1
作者
范真
丁建宁
朱守星
解国新
凌智勇
杨平
机构
镇江江苏大学微纳米技术研究中心
东华
大学
机械工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期132-134,共3页
基金
江苏省教育厅科技项目(03KJD460066)
文摘
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨。试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除。
关键词
AFM
信息存储
GeSbTe膜
Keywords
AFM, storage, GeSbTe film
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究
范真
丁建宁
朱守星
解国新
凌智勇
杨平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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