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题名快速晶闸管通态特性的改善
被引量：2
- 1
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作者
刘国辉
田石
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机构
锦州天维电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期188-192,共5页
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文摘
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂质浓度分布,增大j3结两侧杂质浓度的比值,在快速晶闸管的制造中,p型扩散工艺采用了固态源闭管式镓铝双质掺杂技术。研究结果表明:采用该技术制造的快速晶闸管,通态基本特性参数具有较好的一致性,通态压降明显降低,通态特性明显改善,关断时间与通态压降的关系也得到了合理的协调,提高了器件的综合电气性能。
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关键词
快速晶闸管
通态特性
镓铝双质掺杂
杂质浓度分布
注入比
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Keywords
fast switching thyristor
on-state characteristics
Ga-Al double-impurity doping
distribution of impurity concentration
injection ratio
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管
被引量：1
- 2
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作者
刘国辉
田石
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机构
锦州天维电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期30-34,共5页
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文摘
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。
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关键词
快速晶闸管
镓铝双质掺杂
杂质浓度分布
图形设计
电子辐照
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Keywords
fast switching thyristor
Ga-Al double-impurity doping
distribution of impurity concentration
graphic design
electron irradiation
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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