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高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 1; 作者王巍陈婷 +5 位作者李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页; 基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管标准0.18μm CMOS工艺深N阱保护环击穿特性响应度光子探测效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于漏纵波模式的高频宽带低插损滤波器设计被引量：2: 2; 作者王巍张迎 +4 位作者王方滕洪菠丁辉郭家成吴浩《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期1-5,共5页; 采用常规的瑞利声表面波设计低插损、大带宽的高频声表滤波器,难以满足设计要求。该文设计了一种基于多层膜结构的漏纵波(LLSAW)的高频宽带低损耗声表面波(SAW)滤波器。确定了激发LLSAW的波导结构,建立器件的二维理论模型;研究了电极各... 展开更多; 关键词漏纵波电极反射栅杂散响应镜像T型; 在线阅读下载PDF 职称材料

高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 3; 作者王巍鲍孝圆 +3 位作者陈丽徐媛媛陈婷王冠宇《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期150-155,共6页; 基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管标准0.35μm CMOS工艺保护环深n阱响应度 3DB带宽光子探测效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于快速滤波算法的卷积神经网络加速器设计被引量：6: 4; 作者王巍周凯利 +2 位作者王伊昌王广袁军《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期2578-2584,共7页; 为减少卷积神经网络(CNN)的计算量,该文将2维快速滤波算法引入到卷积神经网络,并提出一种在FPGA上实现CNN逐层加速的硬件架构。首先,采用循环变换方法设计行缓存循环控制单元,用于有效地管理不同卷积窗口以及不同层之间的输入特征图数据... 展开更多; 关键词卷积神经网络快速滤波算法 FPGA 并行结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：2: 5; 作者王巍颜琳淑 +5 位作者王川杜超雨王婷王冠宇袁军王振《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1349-1353,共5页; Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：... 展开更多; 关键词 Ge/Si雪崩二极管吸收区-电荷区-倍增区分离器件仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD 被引量：1: 6; 作者王巍陈丽 +4 位作者鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期62-66,共5页; 设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿... 展开更多; 关键词 CMOS-APD 雪崩增益响应度带宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

高频低温漂TC-SAW滤波器的设计被引量：2: 7; 作者王巍滕洪菠 +3 位作者王方张迎袁军宋小瑛《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期544-548,553,共6页; 该文设计了一款温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(128°YX-LiNbO3)上沉积SiO2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积SiO2... 展开更多; 关键词 TC-SAW滤波器谐振器频率温度系数电极厚度 SiO2温度补偿层; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 1; 作者王巍陈婷李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院中科院微电子所十室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页; 基金国家自然科学基金(No.61404019)资助~~; 文摘基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与衬底形成的PN结可有效隔离衬底,降低衬底噪声;采用P阱保护环结构以预防过早边缘击穿现象.通过理论分析确定器件的基本结构参数及工艺参数,并对器件性能进行优化设计.实验结果表明,单光子雪崩二极管的窗口直径为10μm,器件的反向击穿电压为18.4V左右.用光强为0.001 W/cm^2的光照射,650nm处达到0.495A/W的响应度峰值;在2V的过偏压下,650~950nm波段范围内光子探测效率均高于30%,随着反向偏压的适当增大,探测效率有所提升.; 关键词单光子雪崩二极管标准0.18μm CMOS工艺深N阱保护环击穿特性响应度光子探测效率; Keywords Single Photon Avalanche Diode（SPAD） Standard 0.18μm CMOS process Deep n-well Guard ring Breakdown characteristics Responsivity Photon detection efficiency; 分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于漏纵波模式的高频宽带低插损滤波器设计被引量：2: 2; 作者王巍张迎王方滕洪菠丁辉郭家成吴浩; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期1-5,共5页; 文摘采用常规的瑞利声表面波设计低插损、大带宽的高频声表滤波器,难以满足设计要求。该文设计了一种基于多层膜结构的漏纵波(LLSAW)的高频宽带低损耗声表面波(SAW)滤波器。确定了激发LLSAW的波导结构,建立器件的二维理论模型;研究了电极各项参数对杂散的影响,在此基础上对电极参数进行了优化设计。研究发现,将串联谐振器的反射栅对数设置为6时,可有效抑制通带内的杂散。设计了镜像T型及镜像π型LLSAW结构滤波器,并进行性能比较分析。结果表明,镜像T型结构更能抑制杂散响应,设计的镜像T型结构LLSAW滤波器的中心频率为3545 MHz,插入损耗为-1.416 dB,-3 dB带宽为274 MHz,带外抑制大于-30 dB。; 关键词漏纵波电极反射栅杂散响应镜像T型; Keywords longitudinal leaky wave electrode grating reflector spurious response mirror T-type; 分类号 TN65 [电子电信—电路与系统] TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6: 3; 作者王巍鲍孝圆陈丽徐媛媛陈婷王冠宇; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期150-155,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61404019)资助~~; 文摘基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明：所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W.; 关键词单光子雪崩二极管标准0.35μm CMOS工艺保护环深n阱响应度 3DB带宽光子探测效率; Keywords Single photon avalanche diode Standard 0.35μm CMOS process Guard ring Deep n-well structure Responsivity 3 dB bandwidth Photon detection efficiency; 分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于快速滤波算法的卷积神经网络加速器设计被引量：6: 4; 作者王巍周凯利王伊昌王广袁军; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期2578-2584,共7页; 基金国家自然科学基金(61404019) 重庆市集成电路产业重大主题专项(cstc2018jszx-cyztzx0211,cstc2018jszx-cyztzx0217)~~; 文摘为减少卷积神经网络(CNN)的计算量,该文将2维快速滤波算法引入到卷积神经网络,并提出一种在FPGA上实现CNN逐层加速的硬件架构。首先,采用循环变换方法设计行缓存循环控制单元,用于有效地管理不同卷积窗口以及不同层之间的输入特征图数据,并通过标志信号启动卷积计算加速单元来实现逐层加速;其次,设计了基于4并行快速滤波算法的卷积计算加速单元,该单元采用若干小滤波器组成的复杂度较低的并行滤波结构来实现。利用手写数字集MNIST对所设计的CNN加速器电路进行测试,结果表明:在xilinx kintex7平台上,输入时钟为100 MHz时,电路的计算性能达到了20.49 GOPS,识别率为98.68%。可见通过减少CNN的计算量,能够提高电路的计算性能。; 关键词卷积神经网络快速滤波算法 FPGA 并行结构; Keywords Convolution Neural Network(CNN) Fast filter algorithms FPGA Parallel structure; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：2: 5; 作者王巍颜琳淑王川杜超雨王婷王冠宇袁军王振; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1349-1353,共5页; 文摘 Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。; 关键词 Ge/Si雪崩二极管吸收区-电荷区-倍增区分离器件仿真; Keywords Ge/Si-APD SACM device simulation; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD 被引量：1: 6; 作者王巍陈丽鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期62-66,共5页; 文摘设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿;并且新增加一个深N阱结构,使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收,屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声,用以提高器件的响应度。通过理论分析,确定本文所设计的CMOS-APD器件光窗口面积为10μm×10μm,并得到了器件其他的结构和工艺参数。仿真结果表明:APD工作在480 nm波长的光照时,量子效率达到最高90%以上。在加反向偏压-15 V时,雪崩增益为72,此时响应度可达到2.96 A/W,3 d B带宽为4.8 GHz。; 关键词 CMOS-APD 雪崩增益响应度带宽; Keywords CMOS-APD avalanche gain responsivity bandwidth; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高频低温漂TC-SAW滤波器的设计被引量：2: 7; 作者王巍滕洪菠王方张迎袁军宋小瑛; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期544-548,553,共6页; 基金重庆市科技局产业化基金资助项目(CSTC2018JSZX-CYZTZX0211,CSTC2018JSZX-CYZTZX0048) 重庆市科技局自然科学基金资助项目(CSTB2022NSCQ-MSX1389) 重庆市留学人员回国创业创新支持计划基金资助项目(2204012976831207)。; 文摘该文设计了一款温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(128°YX-LiNbO3)上沉积SiO2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积SiO2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处出现杂散响应,通过增加电极厚度,降低了谐振器杂散响应对滤波器性能的影响。采用四阶级联提高滤波器的带外抑制。仿真结果表明,设计的TC-SAW滤波器中心频率为2497 MHz,频率温度系数为-9.89×10^(-6)/℃,-30~85℃工作温度范围内的带内最大插损为1.95 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于97 MHz。; 关键词 TC-SAW滤波器谐振器频率温度系数电极厚度 SiO2温度补偿层; Keywords TC-SAW filter resonator temperature coefficient of frequency electrode thickness SiO 2 temperature compensation layer; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件	王巍陈婷李俊峰何雍春王冠宇唐政维袁军王广	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于漏纵波模式的高频宽带低插损滤波器设计	王巍张迎王方滕洪菠丁辉郭家成吴浩	《压电与声光》 CAS 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件	王巍鲍孝圆陈丽徐媛媛陈婷王冠宇	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于快速滤波算法的卷积神经网络加速器设计	王巍周凯利王伊昌王广袁军	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2019	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Ge/Si SACM-APD器件分析	王巍颜琳淑王川杜超雨王婷王冠宇袁军王振	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD	王巍陈丽鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高频低温漂TC-SAW滤波器的设计	王巍滕洪菠王方张迎袁军宋小瑛	《压电与声光》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料