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题名P^+PIN结构的650nm光电探测器的研究
被引量：2
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作者
潘银松
孔谋夫
林聚承
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机构
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
重庆电子职业技术学院电子工程系
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期2218-2221,共4页
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文摘
研究了一种新型P+PIN结构的硅650nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650nm光电探测器的0.30A/W提高到了0.380A/W,且具有约279MHz的较高响应速度.
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关键词
光电探测器
光学吸收
响应度
P+PIN
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Keywords
Photodetector
Optics absorbing
Responsivity
P+PIN
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分类号
TN364
[电子电信—物理电子学]
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