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题名空位缺陷对金属基外延石墨烯态密度和电导率的影响
被引量：1
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作者
高君华
郑瑞伦
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机构
重庆文理学院电子信息与电气工程学院重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心
黑龙江大学电子工程学院
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出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第5期94-103,共10页
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基金
重庆市自然科学基金面上项目(cstc2020jcyj-msxmX0920)。
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文摘
考虑到空位缺陷的存在和原子非简谐振动,以铜、镍基外延石墨烯为例,研究了金属基外延石墨烯空位缺陷浓度和态密度以及电导率随温度的变化规律,探讨了空位缺陷的影响.结果表明:(1)空位缺陷浓度随温度升高而非线性增大,外延石墨烯的空位缺陷浓度及其随温度的变化率均大于石墨烯;(2)与石墨烯相同,金属基外延石墨烯的态密度变化曲线对电子能量为0为对称,但空位缺陷的存在使态密度在电子能量为零时的值不为零,空位缺陷对导带态密度的影响大于价带;态密度随空位缺陷浓度α的增大而线性减小,但减小幅度不大,而温度对石墨烯态密度几乎无影响;(3)金属基外延石墨烯的电导率近似等于电子声子相互作用贡献的电导率,并随温度升高而非线性减小;空位缺陷的存在使电导率有所减小,但只在较高温度下才明显.原子非简谐振动情况的电导率稍大于简谐近似的电导率,温度愈高,两者电导率的差愈大,即非简谐效应愈显著.
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关键词
金属基外延石墨烯
空位缺陷
态密度
电导率
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Keywords
Metal-based epitaxial graphene
Vacancy defects
Density of state
Conductivity
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分类号
O65
[理学—分析化学]
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