本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发现:随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5 e V,...本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发现:随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5 e V,表明该体系为半导体材料;而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级,即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质;同时对比纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的总态密度,发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.展开更多
基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO_2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO_2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO_2的带隙值分别为1. 109 e V、1. 86 e V、1. 214 e V,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁...基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO_2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO_2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO_2的带隙值分别为1. 109 e V、1. 86 e V、1. 214 e V,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁; C-Y共掺杂SnO_2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO_2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级; C-Y,C-Zr共掺杂SnO_2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献; C-Y、C-Zr共掺杂SnO_2会打破SnO_2电子平衡状态,致使电荷的重新分布。展开更多
本文采用第一性原理研究了Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的能带结构、总态密度以及分态密度.研究结果显示:Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的带隙低于本征体系,有利于电子的跃迁.本征LiFePO_4的能带与掺Mg、Ge、Te、Zn体系带隙之差分别为0...本文采用第一性原理研究了Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的能带结构、总态密度以及分态密度.研究结果显示:Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的带隙低于本征体系,有利于电子的跃迁.本征LiFePO_4的能带与掺Mg、Ge、Te、Zn体系带隙之差分别为0.04 e V,0.263 e V,0.691 e V,1.251 e V,说明掺杂Mg、Ge、Te、Zn能够有效的对其能带实现精确调控.在费米能级处,Mg、Ge、Te、Zn掺杂LiFePO_4的态密度主要由Fe的d轨道贡献.展开更多
文摘本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发现:随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5 e V,表明该体系为半导体材料;而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级,即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质;同时对比纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的总态密度,发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.
文摘基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO_2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO_2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO_2的带隙值分别为1. 109 e V、1. 86 e V、1. 214 e V,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁; C-Y共掺杂SnO_2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO_2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级; C-Y,C-Zr共掺杂SnO_2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献; C-Y、C-Zr共掺杂SnO_2会打破SnO_2电子平衡状态,致使电荷的重新分布。
文摘本文采用第一性原理研究了Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的能带结构、总态密度以及分态密度.研究结果显示:Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO_4的带隙低于本征体系,有利于电子的跃迁.本征LiFePO_4的能带与掺Mg、Ge、Te、Zn体系带隙之差分别为0.04 e V,0.263 e V,0.691 e V,1.251 e V,说明掺杂Mg、Ge、Te、Zn能够有效的对其能带实现精确调控.在费米能级处,Mg、Ge、Te、Zn掺杂LiFePO_4的态密度主要由Fe的d轨道贡献.
