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利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性 被引量:2
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作者 杜晓晴 田健 周强富 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1606-1610,共5页
GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射... GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型,得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小,吸收系数与已发表数据一致,表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。 展开更多
关键词 紫外透射光谱 透射式GaN光电阴极 薄膜厚度 光学吸收系数
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激发波长和带宽对Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃发光性质的影响
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作者 任林娇 雷小华 +3 位作者 陈伟民 杜晓晴 冯永安 金雷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1572-1578,共7页
采用双高斯函数拟合不同中心波长和带宽的LED芯片光谱,并根据荧光分光光度计的测量结果推算不同LED芯片激发下的Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的发射光谱和色温。结果表明,当芯片带宽不变,中心波长从370 nm右移到378 nm时,Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃... 采用双高斯函数拟合不同中心波长和带宽的LED芯片光谱,并根据荧光分光光度计的测量结果推算不同LED芯片激发下的Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的发射光谱和色温。结果表明,当芯片带宽不变,中心波长从370 nm右移到378 nm时,Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃色温逐渐下降。当芯片中心波长不变,带宽从10 nm增加到25 nm时,Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的色温变化与中心波长有关。在芯片发光稳定的前提下,带宽变化对Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃色温的影响小于中心波长改变的影响,故当Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃应用于LED发光时,需优先选择芯片的中心波长。 展开更多
关键词 发光玻璃 LED芯片 激发波长 带宽
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聚氨酯基磁流变胶磁控电阻特性研究 被引量:1
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作者 刘术志 余淼 +1 位作者 杨平安 浮洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期7066-7070,共5页
磁流变胶(MRG)是一种新型智能材料,具有磁流变效应高,不沉降等特点,而且电阻率会随外加磁场强度增加发生显著变化。论文设计了MRG磁控电阻测试装置,研究了基体的粘度、铁粉质量分数对MRG磁控电阻特性的影响,实验揭示了磁流变胶在不同磁... 磁流变胶(MRG)是一种新型智能材料,具有磁流变效应高,不沉降等特点,而且电阻率会随外加磁场强度增加发生显著变化。论文设计了MRG磁控电阻测试装置,研究了基体的粘度、铁粉质量分数对MRG磁控电阻特性的影响,实验揭示了磁流变胶在不同磁场下电阻率的变化规律,并进行了初步的理论分析。为了降低MRG的零场电阻率,尝试添加少量石墨进行改性,取得明显效果。 展开更多
关键词 磁流变胶 电阻率 磁致效应 石墨
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