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题名pnp型SiGe HBT的制备研究
被引量：2
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作者
王喜媛
张鹤鸣
刘道广
郑娥
张静
徐婉静
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机构
西安电子科技大学微电子研究所
重庆固体电子研究所重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期34-36,62,共4页
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文摘
从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数为:Vcb0=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5V,β=10。
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关键词
pnp型SiGeHBT
禁带宽度
Ge组分
能带
异质结双极型晶体管
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Keywords
pnp SiGe HBT
Eg (band-gap energy)
the component of Ge
band-gap
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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