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题名LCD面板TFT特性相关残像研究
被引量：6
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作者
许卓
金熙哲
吴海龙
周焱
张智
闵泰烨
袁剑峰
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机构
重庆京东方光电科技有限公司产品技术部
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期195-201,共7页
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文摘
残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素,也是发生原因最为复杂的一种不良。本论文提出了一种定量测量残像水平的方法,同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究,得到了由TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机理。本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与TFT漏电流变化曲线,同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟,发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV>12.5mV)是发生残像的根本原因。根据以上机理,本论文提出了两种方法改善此类残像。第一种是通过改善TFT a-Si成膜工艺减小漏电流(<50pA),同时提升TFT特性的稳定性,可以减小棋盘格画面残像评价导致的TFT转移特性曲线偏移;第二种是通过改变栅压低电平,避开关态时不同显示区域的TFT漏电流差异峰值;以上两种方法均可以有效改善残像(ΔL<0.5cd/m^2)。
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关键词
残像
薄膜晶体管
交流驱动
漏电流
保持电压
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Keywords
image sticking
TFT
AC driving
leakage
holding voltage
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分类号
TN141.9
[电子电信—物理电子学]
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