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Yb∶MgAg纳米双层阴极的光电特性改善被引量：1: 1; 作者张金中李坚 +1 位作者胡海兵关立伟《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期297-299,共3页; MgAg纳米合金作为有机电致发光阴极,具有功函数低、稳定性高等优点,而提升Ag的比例,降低MgAg纳米合金的厚度,可提升MgAg的透过率。在蒸镀MgAg纳米合金之前先沉积Yb纳米金属薄层,可降低阴极功函数,减少接触势垒,改善器件效率。实验表明,... 展开更多; 关键词有机电致发光二极管(OLED)镁银合金阴极透过率稀有金属镱; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于改进人工势场法的移动机器人路径规划被引量：48: 2; 作者温素芳郭光耀《计算机工程与设计》北大核心 2015年第10期2818-2822,共5页; 为解决传统人工势场法用于机器人路径规划时出现的各种问题,提出相应的改进方法。针对障碍物距目标点太近导致的目标不可达问题,采用缩小障碍物影响范围的方法来解决;针对局部极小点导致的陷阱问题,提出障碍物影响范围分层的思想,使机... 展开更多; 关键词人工势场法移动机器人路径规划局部极小点影响范围; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT-LCD边角漏光不良机理分析及改善研究被引量：19: 3; 作者见帅敏解洋 +4 位作者夏高飞孙禄标孟维欣申澈郭建《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期455-460,共6页; 目前,薄膜晶体管型液晶显示器(Thin-Film Technology Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已成为显示领域的主流产品,而液晶面板是TFT-LCD的一个重要组成部分。LCD边缘漏光会导致画面失真,影响可视效果,造成画面显示品质下降、良率降低,因... 展开更多; 关键词 TFT-LCD 边角漏光 LC PATTERN Si-Ball; 在线阅读下载PDF 职称材料

过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究被引量：4: 4; 作者霍晓迪陈兵 +2 位作者李知勋李淳东刘华锋《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期58-61,共4页; 为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京... 展开更多; 关键词干法刻蚀侧面接触方式过孔液晶面板低温多晶硅技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究被引量：3: 5; 作者剧永波陈建军 +8 位作者张宸铭简月圆熊正平张龙泉赵东升罗少先刘昊孙宏伟白贺鹏《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期190-195,共6页; 本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光... 展开更多; 关键词粘附力光刻胶钼钛氧化铟锡多晶硅非晶硅氮化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型TFT-LCD用配向膜材料研究被引量：2: 6; 作者李晓锦陈强 +5 位作者郑伟方业周彭艳召李永生陈志刚谢建云《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期864-869,共6页; 基于面内转换IPS(In-Plane-Switching)液晶显示模式采用新型的光配向技术,相比摩擦配向技术具有无静电、无污染、可控的预倾角等优势。但同时存在显示画质不良如残像,对产品良率及客户体验感影响很大。本文通过对三款聚酰亚胺材料制备... 展开更多; 关键词光配向残像亚胺化率各向异性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Yb∶MgAg纳米双层阴极的光电特性改善被引量：1: 1; 作者张金中李坚胡海兵关立伟; 机构重庆京东方显示技术有限公司鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期297-299,共3页; 文摘 MgAg纳米合金作为有机电致发光阴极,具有功函数低、稳定性高等优点,而提升Ag的比例,降低MgAg纳米合金的厚度,可提升MgAg的透过率。在蒸镀MgAg纳米合金之前先沉积Yb纳米金属薄层,可降低阴极功函数,减少接触势垒,改善器件效率。实验表明,在Yb膜厚为5?、MgAg膜厚为120?、Ag比例为70%的条件下,器件效率能达到红色41.4cd/A,绿色94.9cd/A,蓝色103.4cd/A/CIEy,并具有较低的功耗和较长的寿命。; 关键词有机电致发光二极管(OLED)镁银合金阴极透过率稀有金属镱; Keywords organic light emitting diode ( OLeD) magnesium-silver alloy ( MgAg) cathode transmittance rare metal ytterbium ( Yb); 分类号 TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于改进人工势场法的移动机器人路径规划被引量：48: 2; 作者温素芳郭光耀; 机构内蒙古工业大学电力学院鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 出处《计算机工程与设计》北大核心 2015年第10期2818-2822,共5页; 基金内蒙古工业大学科学研究基金项目(ZS201135); 文摘为解决传统人工势场法用于机器人路径规划时出现的各种问题,提出相应的改进方法。针对障碍物距目标点太近导致的目标不可达问题,采用缩小障碍物影响范围的方法来解决;针对局部极小点导致的陷阱问题,提出障碍物影响范围分层的思想,使机器人能够顺利到达目标点。改进后的势场法适用于各种复杂环境下的移动机器人路径规划,且可以进行优化路径选择,仿真结果表明了该方法的有效性。; 关键词人工势场法移动机器人路径规划局部极小点影响范围; Keywords artificial potential field approach mobile robot path planning local minimum point scope of influence; 分类号 TP242 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT-LCD边角漏光不良机理分析及改善研究被引量：19: 3; 作者见帅敏解洋夏高飞孙禄标孟维欣申澈郭建; 机构鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期455-460,共6页; 文摘目前,薄膜晶体管型液晶显示器(Thin-Film Technology Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已成为显示领域的主流产品,而液晶面板是TFT-LCD的一个重要组成部分。LCD边缘漏光会导致画面失真,影响可视效果,造成画面显示品质下降、良率降低,因此改善边缘漏光成为急待解决的问题。本文研究了液晶与PI膜层取向异常对边角漏光的影响、LC Pattern设计对边角漏光的影响、Si-Ball型号对边角漏光的影响等,结果证明LC Pattern设计对边角漏光具有较好的改善效果,Pattern拉伸可改善边角漏光但更易造成液晶穿刺现象,小滴优化不仅能改善边角漏光而且也能防止液晶穿刺。另外小型Si-Ball对边角漏光改善效果最优,同时从信赖性验证等方面可以排除较小Si-Ball,限定出Si-Ball选择范围。; 关键词 TFT-LCD 边角漏光 LC PATTERN Si-Ball; Keywords TFT-LCD edge light-leaking LC pattern Si-Ball; 分类号 TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术] TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究被引量：4: 4; 作者霍晓迪陈兵李知勋李淳东刘华锋; 机构鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期58-61,共4页; 文摘为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。; 关键词干法刻蚀侧面接触方式过孔液晶面板低温多晶硅技术; Keywords dry etch Just Contact Method contact hole TFT-LCD low-temperature polysilicontechnology; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究被引量：3: 5; 作者剧永波陈建军张宸铭简月圆熊正平张龙泉赵东升罗少先刘昊孙宏伟白贺鹏; 机构鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司京东方科技集团股份有限责任公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期190-195,共6页; 文摘本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善。光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力。; 关键词粘附力光刻胶钼钛氧化铟锡多晶硅非晶硅氮化硅; Keywords adhesive force photoresist Mo Ti ITO Poly-Si A-Si SiNX; 分类号 TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术] TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型TFT-LCD用配向膜材料研究被引量：2: 6; 作者李晓锦陈强郑伟方业周彭艳召李永生陈志刚谢建云; 机构鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期864-869,共6页; 文摘基于面内转换IPS(In-Plane-Switching)液晶显示模式采用新型的光配向技术,相比摩擦配向技术具有无静电、无污染、可控的预倾角等优势。但同时存在显示画质不良如残像,对产品良率及客户体验感影响很大。本文通过对三款聚酰亚胺材料制备及应用光配向技术形成取向层,首先对聚酰亚胺材料特性进行研究,分别为亚胺化率、接触角、Edge Margin、表面各向异性;再对画质不良残像原理进行简单分析,根据残像画面呈现形式分为长期残像与短期残像。通过一系列测试结果得出最优材料亚胺化率为92%、Edge Margin为70.6nm、接触角为78.5°、表面各向异性光配向能量为300mJ,能够满足目前生产要求;实验测试显示画面为短期残像LV2水平优于量产LV3水平,低电阻率(1×10^(12))配向膜对残像具有明显改善效果,能够很好满足客户需求。同时本文研究思路对后续新材料测试及验证具有一定的参考价值。; 关键词光配向残像亚胺化率各向异性; Keywords optical alignment image sticking ammoniation rate anisotropy; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Yb∶MgAg纳米双层阴极的光电特性改善	张金中李坚胡海兵关立伟	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于改进人工势场法的移动机器人路径规划	温素芳郭光耀	《计算机工程与设计》北大核心	2015	48	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TFT-LCD边角漏光不良机理分析及改善研究	见帅敏解洋夏高飞孙禄标孟维欣申澈郭建	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2017	19	在线阅读下载PDF 职称材料
4	过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究	霍晓迪陈兵李知勋李淳东刘华锋	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究	剧永波陈建军张宸铭简月圆熊正平张龙泉赵东升罗少先刘昊孙宏伟白贺鹏	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种新型TFT-LCD用配向膜材料研究	李晓锦陈强郑伟方业周彭艳召李永生陈志刚谢建云	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料