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β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质
被引量：
9
1
作者
张俊刚
夏长泰
+5 位作者
吴锋
裴广庆
徐军
邓群
徐悟生
史宏生
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期358-360,363,共4页
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471...
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。
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关键词
浮区法
宽禁带半导体
β-Ga2O3单晶
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职称材料
题名
β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质
被引量：
9
1
作者
张俊刚
夏长泰
吴锋
裴广庆
徐军
邓群
徐悟生
史宏生
机构
中国
科学院上海光学精密机械
研究
所
通用电气中国研究开发中心有限公司
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期358-360,363,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50472032)
文摘
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。
关键词
浮区法
宽禁带半导体
β-Ga2O3单晶
Keywords
floating zone technique
wide band gap semiconductor β-Ga2O3 single crystal
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质
张俊刚
夏长泰
吴锋
裴广庆
徐军
邓群
徐悟生
史宏生
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
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