（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构

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作者 张国英 刘贵立 黄和鸾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期54-57,64,共5页

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳ... 本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。 展开更多

关键词 应变 超晶格 电子结构 态密度

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声发射传感器技术与应用 被引量：5

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作者 时书丽 赵国兴 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第2期34-37,共4页

本文介绍了声发射传感器的选材、制作结构、标定问题以及在工程技术中的安装方法。

关键词 声发射 传感器 标定 无损检测

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绝热变分近似计算强磁场中氢原子的能级 被引量：3

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作者 李丽萍 石玉珠 李毓成 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期396-400,共5页

在绝热变分近似下，计算了强磁场（β＝１～２０００）中氢原子的一些能级，并同其它结果进行了比较。发现采用的方法在磁场变弱时（如β～１），其计算结果比绝热近似有很大改进，而且在β≥１００时几乎可以同最精确的有限元方法和Ｒ... 在绝热变分近似下，计算了强磁场（β＝１～２０００）中氢原子的一些能级，并同其它结果进行了比较。发现采用的方法在磁场变弱时（如β～１），其计算结果比绝热近似有很大改进，而且在β≥１００时几乎可以同最精确的有限元方法和Ｒｓｎｅｒ［１］等人的类多组态ＨＦ方法的结果相比拟。 展开更多

关键词 强磁场 绝热近似 绝热变分近似 氢原子 能级

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一种新的超突变结电容电压方程 被引量：3

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作者 吴春瑜 朱长纯 张九惠 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期99-101,共3页

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

关键词 变容二极管 超突变结

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新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数 被引量：1

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作者 吴春瑜 朱长纯 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期127-138,128,共13页

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。

关键词 变容管 超突变结 容压变化指数 变容二极管

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压阻式传感器灵敏度特性分析 被引量：2

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作者 沈桂芬 《传感器技术》 CSCD 1999年第4期17-20,共4页

对圆形、正方形和矩形膜片力敏器件的灵敏度进行了详细剖析，计算并列出大量数据，指出影响压力传感器灵敏度的因素和提高灵敏度的有效途径，给出部分实验数据与理论分析符合较好。本分析对开发设计高灵敏度的力敏元件有重要指导意义。

关键词 压阻效应 灵敏度 应力 传感器

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力敏传感器芯片设计分析 被引量：1

7

作者 沈桂芬 《传感技术学报》 CAS CSCD 2000年第1期61-66,共6页

较详细地分析了影响半导体力敏传感器性能的因素；介绍了圆膜片、片方膜、短形膜片上芯片的最佳设计方法．对研制开发新型的力敏传感器有一定的指导意义．

关键词 力敏传感器 半导体 芯片 设计

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多孔硅的形成与电流电压特性研究

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作者 沈桂芬 黄和鸾 +3 位作者 王正荣 高博静 刘岩 郭兴加 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页

本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。

关键词 多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性

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热壁外延制备n-PbTe/p-Pb_(1-x)Sn_xTe异质结

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作者 杨玉琨 李文明 +5 位作者 于磊 杨易 吴连民 徐跃 徐立兴 熊欣 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 1995年第5期343-346,共4页

用改进的HWE装置，在BaF2衬底上制备n－PbTe／p－Pb_（1-x）Sn_xTe反型异质结的工艺及测试结果。SEM，XRD检测表明它是单晶异质结，I－U曲线表明它具有良好的整流特性。此外用C－U截距法测定了它的内建电势差Ud。

关键词 热壁外延 异质结 制备 HJ器件

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压阻式压力传感器灵敏度特性分析

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作者 沈桂芬 王正荣 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第4期59-65,共7页

对圆形膜片、正方形膜片及矩形膜片压力传感器的灵敏度进行了详细剖析.计算并列出大量数据,指出影响压力传感器灵敏度的因素及提高器件灵敏度的有效途径,给出部分实验数据与理论分析符合较好.本分析对开发设计新型高灵敏度的压力传感器... 对圆形膜片、正方形膜片及矩形膜片压力传感器的灵敏度进行了详细剖析.计算并列出大量数据,指出影响压力传感器灵敏度的因素及提高器件灵敏度的有效途径,给出部分实验数据与理论分析符合较好.本分析对开发设计新型高灵敏度的压力传感器有一定指导意义. 展开更多

关键词 压阻效应 灵敏度 应力 膜片 压力传感器

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宽温高频高反压沟道基区晶体管研制 被引量：1

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作者 丛众 吴春瑜 +5 位作者 王荣 石广元 闫东梅 张雯 朱肖林 汪永生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期53-55,共3页

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟... 耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％． 展开更多

关键词 耗尽基区 静电感应 本征栅 双极晶体管 BSIT

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宽温超高频双极静电感应晶体管研制

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作者 丛众 王荣 +2 位作者 吴春瑜 闫东梅 王大奇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期24-27,共4页

描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。

关键词 双极静电感应 本征栅势垒 沟道宽度 BSIT 晶体管

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