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1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究: 1; 作者刘兴辉刘通《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期478-481,共4页; 分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(... 展开更多; 关键词齐纳二极管噪声表面钝化凸点电镀保护环; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：3: 2; 作者谭天亚李春梅 +3 位作者苏宇徐广文吴炜郭永新《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-52,共6页; 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从... 展开更多; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长基底温度入射粒子剩余能量; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 3; 作者谭天亚李春梅 +3 位作者苏宇张静吴炜郭永新《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期343-348,共6页; 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明... 展开更多; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长晶格基底温度入射粒子剩余能量; 在线阅读下载PDF 职称材料

六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 4; 作者谭天亚陈俊杰 +3 位作者江雪李春梅苏宇吴炜《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期188-192,共5页; 利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变... 展开更多; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长薄膜覆盖度沉积速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 5; 作者谭天亚李春梅 +1 位作者吴炜郭永新《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期903-908,共6页; 利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表... 展开更多; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长基底显微结构薄膜覆盖度入射粒子沉积速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器被引量：1: 6; 作者刘兴辉胡深明王璐《电子器件》 CAS 2008年第6期1921-1925,共5页; 设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进... 展开更多; 关键词 C8051F040单片机适配器 CAN总线 SMBUS; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究: 1; 作者刘兴辉刘通; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期478-481,共4页; 基金辽宁省自然科学基金项目资助(20082050); 文摘分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。; 关键词齐纳二极管噪声表面钝化凸点电镀保护环; Keywords Zener diode noise surface passivation bump plating guard-ring; 分类号 TN315.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：3: 2; 作者谭天亚李春梅苏宇徐广文吴炜郭永新; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-52,共6页; 基金辽宁大学科研启动基金资助项目(408041); 文摘利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长基底温度入射粒子剩余能量; Keywords Monte-Carlo simulation, growth of thin film, substrate temperature, rest energy of incident particles; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 3; 作者谭天亚李春梅苏宇张静吴炜郭永新; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期343-348,共6页; 基金沈阳市科学技术计划项目(1071115-1-00) 辽宁省教育厅科研项目计划(2008224) 辽宁省科技厅科研项目(20081030); 文摘利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05eV时,岛由分散生长向分形生长转变.; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长晶格基底温度入射粒子剩余能量; Keywords Monte-Carlo simulation growth of thin film crystal lattice substrate temperature rest energy of incident particles; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 4; 作者谭天亚陈俊杰江雪李春梅苏宇吴炜; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期188-192,共5页; 基金沈阳市科学技术计划项目(1071115-1-00) 辽宁省教育厅科研计划(2008224) 辽宁省科技厅科研计划(20081030); 文摘利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少.在同样的温度下,随着入射粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌发生了改变.; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长薄膜覆盖度沉积速率; Keywords Monte-Carlo simulation growth of thin film coverage with film deposition rate of incident particles; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究被引量：1: 5; 作者谭天亚李春梅吴炜郭永新; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期903-908,共6页; 基金沈阳市科学技术计划(1071115-1-00) 辽宁省教育厅科研计划(2008224) 辽宁省科技厅科研计划(20081030); 文摘利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表明,基底显微结构对薄膜生长具有明显影响.当沉积温度为300 K、沉积速率为0.005 ML/s(Mono1ayer/second,简称ML/s)、覆盖度为0.05 ML时,四方基底上薄膜生长呈现凝聚生长.随着覆盖度增加,岛的尺寸变大,岛的数目减少.而对于六方基底,当覆盖度从0.05 ML变化到0.25 ML时,薄膜生长经历了一个从分散生长过渡到分形生长的过程.无论是四方还是六方基底,随着沉积速率的增加,岛的形貌由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.; 关键词 MONTE CARLO模拟薄膜生长基底显微结构薄膜覆盖度入射粒子沉积速率; Keywords Monte Carlo simulation, growth of thin film, microstructure of substrate, coverage with film, deposition rate of incident particles; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器被引量：1: 6; 作者刘兴辉胡深明王璐; 机构辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室; 出处《电子器件》 CAS 2008年第6期1921-1925,共5页; 文摘设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进行数据通信,对数据进行处理,很好地实现了对汽车生产线焊机智能控制的目的。该系统具有抗干扰性好,工作效率高,使用方便等优点。; 关键词 C8051F040单片机适配器 CAN总线 SMBUS; Keywords C8051F040 Soc Adapter Can bus SMbus; 分类号 TP29 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究	刘兴辉刘通	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究	谭天亚李春梅苏宇徐广文吴炜郭永新	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究	谭天亚李春梅苏宇张静吴炜郭永新	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究	谭天亚陈俊杰江雪李春梅苏宇吴炜	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究	谭天亚李春梅吴炜郭永新	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器	刘兴辉胡深明王璐	《电子器件》 CAS	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料