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沉积条件对MoS_2/Ti复合膜性能的影响
被引量：
1
1
作者
戚琦
李永良
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期779-782,共4页
MoS2 /Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备 ,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv 随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加 .FE SEM (场发射扫描电子显微镜 )对膜表面形貌观察发现 ,MoS2 /Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成 ,膜的致密性和膜...
MoS2 /Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备 ,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv 随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加 .FE SEM (场发射扫描电子显微镜 )对膜表面形貌观察发现 ,MoS2 /Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成 ,膜的致密性和膜中x(Ti)有关 ,x(Ti)越高 ,膜的致密性越好 ,从而膜的Hv 也就越高 .偏压Ub 是影响膜性能的重要因素 ,随着Ub 的增加 ,膜的Hv 也增加 ,当Ub=- 10 0V时 ,膜的Hv 达到峰值 ;进一步增加Ub,膜的Hv 则下降 .
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关键词
MoS2/Ti复合膜
直流磁控溅射
偏压
性能
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职称材料
题名
沉积条件对MoS_2/Ti复合膜性能的影响
被引量：
1
1
作者
戚琦
李永良
机构
北京
师范
大学
分析测试
中
心
赣南师范学院化学与生命科学系分析测试中心
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期779-782,共4页
文摘
MoS2 /Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备 ,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv 随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加 .FE SEM (场发射扫描电子显微镜 )对膜表面形貌观察发现 ,MoS2 /Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成 ,膜的致密性和膜中x(Ti)有关 ,x(Ti)越高 ,膜的致密性越好 ,从而膜的Hv 也就越高 .偏压Ub 是影响膜性能的重要因素 ,随着Ub 的增加 ,膜的Hv 也增加 ,当Ub=- 10 0V时 ,膜的Hv 达到峰值 ;进一步增加Ub,膜的Hv 则下降 .
关键词
MoS2/Ti复合膜
直流磁控溅射
偏压
性能
Keywords
MoS 2/Ti composite film
D.C. magnetron sputtering
bias voltage
performance
分类号
O652.1 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
沉积条件对MoS_2/Ti复合膜性能的影响
戚琦
李永良
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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