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内氧化方法制备Ag-SnO_(2)-In_(2)O_(3)材料微观组织演变机理
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作者 郭乙麟 许福太 +5 位作者 盘志雄 刘满门 刘天军 谢明 孙旭东 霍地 《贵金属》 CAS 北大核心 2024年第4期1-8,共8页
系统研究了Ag Sn In Ni合金内氧化法制备Ag-Sn O_(2)-In_(2)O_(3)-Ni O电接触材料的微观组织演变机理及氧化物颗粒分布的调控。结果表明,退火工艺决定了Ag Sn In Ni的缺陷状态,随退火温度的升高,合金中缺陷密度降低,内氧化速度减慢。内... 系统研究了Ag Sn In Ni合金内氧化法制备Ag-Sn O_(2)-In_(2)O_(3)-Ni O电接触材料的微观组织演变机理及氧化物颗粒分布的调控。结果表明,退火工艺决定了Ag Sn In Ni的缺陷状态,随退火温度的升高,合金中缺陷密度降低,内氧化速度减慢。内氧化过程中银合金同时发生回复与再结晶,但内氧化形成的Sn O_(2)和In_(2)O_(3)颗粒可钉扎位错、亚晶界等缺陷,抑制再结晶的发生。Ag-Sn O_(2)-In_(2)O_(3)-Ni O合金微观组织的差异是O原子沿着缺陷向样品内部扩散与Ag合金基体发生再结晶的相互竞争的结果,这导致了芯部组织为氧化物密度较低的颗粒状分布,而外侧组织为氧化物颗粒沿着缺陷墙呈现束装聚集分布。退火工艺为550℃/2 h、氧化工艺为700℃/0.3 MPa×26 h时,可获得氧化物尺寸和分布一致性高的Ag-Sn O_(2)-In_(2)O_(3)-Ni O材料。 展开更多
关键词 Ag-SnO_(2)-In_(2)O_(3) 电接触材料 内氧化法 退火温度 显微组织
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镀钯铜丝中钯层对可靠性影响的研究进展
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作者 宋嘉豪 梁辰 +3 位作者 周文艳 裴洪营 孔建稳 王钊 《贵金属》 北大核心 2025年第1期77-83,共7页
在半导体封装中,键合丝是决定元器件性能的关键性材料。近年来,随着黄金价格的不断上涨,键合丝市场正在进行由传统金丝过渡到新型键合丝的转型。目前,镀钯铜丝是较为理想的金丝替代品之一,具有成本低、抗氧化能力强、可靠性高等特点,而... 在半导体封装中,键合丝是决定元器件性能的关键性材料。近年来,随着黄金价格的不断上涨,键合丝市场正在进行由传统金丝过渡到新型键合丝的转型。目前,镀钯铜丝是较为理想的金丝替代品之一,具有成本低、抗氧化能力强、可靠性高等特点,而镀钯铜丝中钯层对键合性能起到了决定性的作用。本文综述了镀钯铜丝中钯层在成球过程中的分布状态和转移规律、钯元素对键合界面金属间化合物和键合工艺影响的研究进展,并根据目前的发展状况,展望未来镀钯铜丝的一些研究发展趋势。 展开更多
关键词 镀钯铜丝 钯元素 金属间化合物(IMC) 可靠性
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银包覆法制备Ag-Cu-TiH_(2)焊膏的研究
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作者 卢永伟 刘满门 +1 位作者 张牧 孙旭东 《贵金属》 CAS 北大核心 2024年第4期9-15,共7页
Ag-Cu-Ti钎料可以实现Cu和Si_(3)N_(4)陶瓷的连接。然而,钎焊过程中Ti倾向于和Cu反应形成金属间化合物,降低了界面结合强度。本文采用化学还原法,以抗坏血酸为还原剂、Na_(2)EDTA为分散剂,30℃保温30 min,在Cu和Ti H_(2)表面包覆了一层... Ag-Cu-Ti钎料可以实现Cu和Si_(3)N_(4)陶瓷的连接。然而,钎焊过程中Ti倾向于和Cu反应形成金属间化合物,降低了界面结合强度。本文采用化学还原法,以抗坏血酸为还原剂、Na_(2)EDTA为分散剂,30℃保温30 min,在Cu和Ti H_(2)表面包覆了一层均匀致密的Ag层。由于高活性的Ti降低了熔融Ag的表面张力,使得润湿角降低,焊料的铺展性能更好,此外,包覆Ag后显著抑制了焊膏中Ti和Cu的反应,提高了焊膏的活性,从而提高了覆铜板的界面结合强度。研究发现,包覆银的钎料在陶瓷上的铺展面积提高了8.4%;制备的陶瓷覆铜板剥离强度提高了16.7%。 展开更多
关键词 AG-CU-TI 包覆银 Si_(3)N_(4)覆铜板 铺展性能 剥离强度
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