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题名汽车电压调节器集成电路芯片版图设计
被引量：1
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作者
杨发顺
林洁馨
马奎
丁召
傅兴华
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机构
贵州大学电子科学系
贵州省微纳电子技术重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期930-934,共5页
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文摘
介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。
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关键词
汽车电压调节器芯片
功率集成电路
版图设计
可靠性
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Keywords
voltage regulator chip for automobile
power IC
design of layout
reliability
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
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作者
林洁馨
杨发顺
马奎
龚红
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机构
贵州大学电子科学系
贵州省微纳电子技术重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期133-136,共4页
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基金
贵州省重点实验室项目(Z字[2007]4003)
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文摘
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。
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关键词
高温反偏
掺氯氧化
聚酰亚胺
表面钝化技术
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Keywords
high temperature reverse bias
oxidation with Cl
polyimide
surface passivation technology
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究
被引量：1
- 3
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作者
张芳
傅兴华
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机构
贵州省微纳电子技术重点实验室
贵州大学电子科学系
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出处
《现代电子技术》
2012年第9期170-172,共3页
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基金
贵州省工业公关项目(黔科合GY字[2009]3026号)
贵州省重点实验室能力建设项目(黔科合计Z字[2010]4006)
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文摘
借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。
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关键词
碳化硅
肖特基二极管
Silvaco
结终端扩展结构
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Keywords
silicon carbide（SiC）
Schottky barrier diodes（SBD）
Silvaco
junction terminal expand（JTE）
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分类号
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
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