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水热法合成多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒及其表征(英文): 1; 作者祁小四邓朝勇 +1 位作者钟伟都有为《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期577-584,共8页; 报道了一种不同尺寸多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的简单、高产合成方法。对所合成的多孔纳米材料进行了X射线衍射、X射线光电子谱、激光喇曼光谱、场发射扫描电镜和透射电子显微镜的表征。所得结果都表明所合成出来的样品为高选择性的多... 展开更多; 关键词 Α-FE2O3 纳米结构化学合成 X射线光电子谱扫描电子显微镜(SEM) 透射电子显微镜(TEM); 在线阅读下载PDF 职称材料

汽车电压调节器集成电路芯片版图设计被引量：1: 2; 作者杨发顺林洁馨 +2 位作者马奎丁召傅兴华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期930-934,共5页; 介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调... 展开更多; 关键词汽车电压调节器芯片功率集成电路版图设计可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计被引量：1: 3; 作者马奎杨发顺傅兴华《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第12期89-91,95,共4页; 在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准... 展开更多; 关键词高精度宽电源范围 HV_PMOS 双重电流负反馈; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究: 4; 作者林洁馨杨发顺 +1 位作者马奎龚红《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期133-136,共4页; 影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工... 展开更多; 关键词高温反偏掺氯氧化聚酰亚胺表面钝化技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适用于LED驱动的高压稳压电路设计被引量：5: 5; 作者苏艺俊马奎 +2 位作者胡锐陈潇杨发顺《电子技术应用》北大核心 2017年第3期25-28,共4页; 在LED驱动电路中,若采用传统的BUCK型DC-DC降压方式或利用MOS管级联钳制降压方式为芯片内部低压模块提供电源,存在不易集成化和受高压工艺限制等问题。为此,提出了一种改进的高压稳压电路,利用高压LDMOS构成电流源对RC电路充电,电容上... 展开更多; 关键词 LED驱动高压稳压电路线性稳压低压电源 BCD工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究被引量：1: 6; 作者张芳傅兴华《现代电子技术》 2012年第9期170-172,共3页; 借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特... 展开更多; 关键词碳化硅肖特基二极管 Silvaco 结终端扩展结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名水热法合成多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒及其表征(英文): 1; 作者祁小四邓朝勇钟伟都有为; 机构贵州大学理学院贵州省微纳电子技术重点实验室南京大学固体微结构物理国家重点实验室江苏省纳米技术重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期577-584,共8页; 基金 Doctorial Start-up Fund of Guizhou University,the International Cooperation Project of Guizhou Province(2012-7002) Outstanding Young Scientists of Guizhou Province(2009-915) +1 种基金 National Natural Science Foundation of China(11174132); 文摘报道了一种不同尺寸多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的简单、高产合成方法。对所合成的多孔纳米材料进行了X射线衍射、X射线光电子谱、激光喇曼光谱、场发射扫描电镜和透射电子显微镜的表征。所得结果都表明所合成出来的样品为高选择性的多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒。通过系统地控制实验条件,研究了反应时间、铁盐的种类、反应物的起始浓度对所合成样品的影响。通过对所得实验结果的系统对比和分析,给出了该种结构α-Fe2O3纳米颗粒的形成机制。因而,在此报道了一种简单(仅需FeCl3.6H2O和NH4HCO3两种反应物)、一步、经济、可重复性高的多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的高产合成方案,并且该方案不需要使用任何有机溶剂。; 关键词 Α-FE2O3 纳米结构化学合成 X射线光电子谱扫描电子显微镜(SEM) 透射电子显微镜(TEM); Keywords α-Fe2O3 nanostructure chemical synthesis X-ray photoelectron spectroscopy scanning electron microscopy（SEM） transmission electron microscopy（TEM）; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名汽车电压调节器集成电路芯片版图设计被引量：1: 2; 作者杨发顺林洁馨马奎丁召傅兴华; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期930-934,共5页; 文摘介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。; 关键词汽车电压调节器芯片功率集成电路版图设计可靠性; Keywords voltage regulator chip for automobile power IC design of layout reliability; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计被引量：1: 3; 作者马奎杨发顺傅兴华; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子技术重点实验室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第12期89-91,95,共4页; 基金贵州省2010年度重点实验室建设计划项目; 文摘在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准核心电路工作电压的隔离,拓宽了电源电压范围,采用双重电流负反馈保证了基准电压的高精度输出.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的各项电参数进行仿真验证,得到电源电压范围9～30V,在-20～125℃范围内温度系数5.688×10-6/℃,启动时间6.369μs,负载电流0～40mA,输出为5V的集成电压基准源电路.; 关键词高精度宽电源范围 HV_PMOS 双重电流负反馈; Keywords high-precision wide power supply range HV_PMOS double close-loop feedback; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究: 4; 作者林洁馨杨发顺马奎龚红; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期133-136,共4页; 基金贵州省重点实验室项目(Z字[2007]4003); 文摘影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。; 关键词高温反偏掺氯氧化聚酰亚胺表面钝化技术; Keywords high temperature reverse bias oxidation with Cl polyimide surface passivation technology; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于LED驱动的高压稳压电路设计被引量：5: 5; 作者苏艺俊马奎胡锐陈潇杨发顺; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子技术重点实验室贵州振华风光半导体有限公司; 出处《电子技术应用》北大核心 2017年第3期25-28,共4页; 基金贵州省重大科技专项(黔科合重大专项字[2015]6006) 贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2067号) +1 种基金贵州省重点实验室开放基金项目(KFJJ201503); 文摘在LED驱动电路中,若采用传统的BUCK型DC-DC降压方式或利用MOS管级联钳制降压方式为芯片内部低压模块提供电源,存在不易集成化和受高压工艺限制等问题。为此,提出了一种改进的高压稳压电路,利用高压LDMOS构成电流源对RC电路充电,电容上的电压经过线性稳压器稳压后给芯片提供稳定的低压电源。该电路只需外置电容,其他部分均可集成在一块芯片上。基于华虹宏力0.5μm 700V BCD工艺对电路进行仿真验证,在0~311 V周期脉动高电压输入条件下,电路能稳定输出4.97 V;负载电流在0~10 mA范围内变化,负载调整率为11.6 mV/mA;在-40℃~130℃温度范围内,输出电压温度系数为27.2 ppm/℃。仿真结果表明,该高压稳压电路各指标参数均满足预期要求。; 关键词 LED驱动高压稳压电路线性稳压低压电源 BCD工艺; Keywords LED driver high-voltage regulating circuit linear regulator low-vohage power supply BCD process; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究被引量：1: 6; 作者张芳傅兴华; 机构贵州省微纳电子技术重点实验室贵州大学电子科学系; 出处《现代电子技术》 2012年第9期170-172,共3页; 基金贵州省工业公关项目(黔科合GY字[2009]3026号) 贵州省重点实验室能力建设项目(黔科合计Z字[2010]4006); 文摘借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。; 关键词碳化硅肖特基二极管 Silvaco 结终端扩展结构; Keywords silicon carbide（SiC） Schottky barrier diodes（SBD） Silvaco junction terminal expand（JTE）; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	水热法合成多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒及其表征(英文)	祁小四邓朝勇钟伟都有为	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	汽车电压调节器集成电路芯片版图设计	杨发顺林洁馨马奎丁召傅兴华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计	马奎杨发顺傅兴华	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究	林洁馨杨发顺马奎龚红	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种适用于LED驱动的高压稳压电路设计	苏艺俊马奎胡锐陈潇杨发顺	《电子技术应用》北大核心	2017	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究	张芳傅兴华	《现代电子技术》	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料