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微观缺陷和3d电子对La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3陶瓷磁电阻性能的影响 被引量:2
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作者 郭秋娥 黄宇阳 邓文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期111-114,共4页
用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为。结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高;对x>0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有... 用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为。结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高;对x>0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新相生成,体系缺陷增加,样品的商谱谱峰降低。测试了La2/3Ca1/3Mn1-x-FexO3多晶陶瓷的磁电阻性能,讨论了微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3多晶陶瓷磁电阻性能的影响。 展开更多
关键词 钙钛矿锰氧化物 正电子湮没技术 3d电子 磁电阻特性
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