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F原子与Si表面相互作用的动力学研究
被引量：
6
1
作者
赵成利
邓朝勇
+6 位作者
孙伟中
吕晓丹
陈峰
贺平逆
张浚源
刘玉杰
苟富均
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期53-58,共6页
采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不...
采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。
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关键词
分子动力学
沉积
刻蚀
Si-F反应层
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职称材料
电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
2
作者
张浚源
王鹏
+3 位作者
陈峰
孙伟中
吕晓丹
苟富均
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期630-635,共6页
使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上...
使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。
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关键词
流体
多级弧放电
氩等离子体特性
电子密度
电子温度
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职称材料
分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用
3
作者
贺平逆
吕晓丹
+1 位作者
赵成利
苟富均
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期144-149,共6页
采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表...
采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023。各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2。F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于5°和30°时,SixFyCz是主要的含C产物;而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物。在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物;在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。
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关键词
分子动力学
SiF3+刻蚀SiC
分子动力学模拟
SIC
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职称材料
题名
F原子与Si表面相互作用的动力学研究
被引量：
6
1
作者
赵成利
邓朝勇
孙伟中
吕晓丹
陈峰
贺平逆
张浚源
刘玉杰
苟富均
机构
贵州大学psi研究所
MEMS课题组
贵州大学
理学院
四川
大学
原子核科学技术
研究所
辐射物理及技术教育部重点实验室
荷兰皇家科学院等离子体所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期53-58,共6页
基金
国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006)
贵州省优秀青年科技人才培养计划资助的课题(批准号:700968101)
文摘
采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。
关键词
分子动力学
沉积
刻蚀
Si-F反应层
Keywords
Molecular dynamics
Deposition
Etching
Si-F layer
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
2
作者
张浚源
王鹏
陈峰
孙伟中
吕晓丹
苟富均
机构
四川
大学
原子核科学技术
研究所
贵州大学psi研究所
荷兰皇家科学院等离子体所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期630-635,共6页
基金
国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项资助的课题(批准号:2009GB104006)
文摘
使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。
关键词
流体
多级弧放电
氩等离子体特性
电子密度
电子温度
Keywords
Fluid method, The cascaded arc, Argon plasma parameters, Electron density, Electron temperature
分类号
O531 [理学—等离子体物理]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用
3
作者
贺平逆
吕晓丹
赵成利
苟富均
机构
贵州大学psi研究所
MEMS课题组
贵州大学
理学院
四川
大学
原子核科学技术
研究所
辐射物理及技术教育部重点实验室
荷兰皇家科学院等离子体所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期144-149,共6页
基金
贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101)
国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(2009GB104006)
文摘
采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023。各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2。F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于5°和30°时,SixFyCz是主要的含C产物;而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物。在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物;在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。
关键词
分子动力学
SiF3+刻蚀SiC
分子动力学模拟
SIC
Keywords
molecular dynamics, SiF3＋ etching SiC, molecular dynamics simulation, SiC
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
F原子与Si表面相互作用的动力学研究
赵成利
邓朝勇
孙伟中
吕晓丹
陈峰
贺平逆
张浚源
刘玉杰
苟富均
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
张浚源
王鹏
陈峰
孙伟中
吕晓丹
苟富均
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用
贺平逆
吕晓丹
赵成利
苟富均
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
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