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基于FPGA的红外图像处理算法的测试系统被引量：5: 1; 作者张智勇杨晨 +3 位作者刘海桥刘林张筱松丁召《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期829-832,共4页; 为识别和提取红外图像中的有用信息,红外系统常采用各种算法处理采集到的数据。随着红外技术的不断发展,与红外相关的图像处理算法层出不穷。除了常规的图像处理算法外,为了提高人眼对红外图像的识别率,伪彩色编码技术也常被使用。为了... 展开更多; 关键词红外图像处理算法测试系统伪彩色彩虹编码热金属编码锐化; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外伪彩色图像的去彩化研究被引量：2: 2; 作者杨晨张智勇 +2 位作者王继红黄寓洋丁召《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期403-407,共5页; 为适应人眼的感知能力,伪彩色编码技术常被用于处理红外探测系统输出的灰度图像。较于灰度图像,计算机对彩色图像处理所需的存储量与计算量较大。鉴于某些红外设备只提供伪红外图像的输出,因此伪红外图像的去彩色化算法成为该文的主要... 展开更多; 关键词伪彩色图像解码非线性量化误差; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计被引量：1: 3; 作者杨发顺马奎 +2 位作者林洁馨丁召傅兴华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期598-602,共5页; 设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectr... 展开更多; 关键词大负载电流低温度系数电源抑制比过热保护绝对温度比电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同应力下的In_xGa_(1-x)As薄膜表面形貌被引量：1: 4; 作者郭祥王一 +5 位作者魏文喆黄梦雅赵振王继红胡明哲丁召《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期21-23,37,共4页; 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫... 展开更多; 关键词 MBE INGAAS 表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FPGA的量子点波形VGA显示与标记方法研究被引量：1: 5; 作者张智勇杨晨 +1 位作者郭祥丁召《现代电子技术》 2014年第6期101-103,共3页; 提出一种基于FPGA和硬件描述语言Verilog HDL实现STM-MBE量子点波形VGA显示与标记的方法,利用FPGA片内ROM,将量子点生长实验中量子点的高度数据波形显示在VGA显示器上;同时利用FPGA的控制优势及处理图像的高效性,实现对所有在VGA显示器... 展开更多; 关键词 FPGA VERILOGHDL VGA显示量子点波形显示与标记; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种超结高压肖特基势垒二极管: 6; 作者龚红马奎 +2 位作者傅兴华丁召杨发顺《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页; 改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时... 展开更多; 关键词肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压超结结构超结肖特基二极管(SJ-SBD) 功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1: 7; 作者周海月赵振 +7 位作者郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期477-481,共5页; 采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_... 展开更多; 关键词分子束外延扫描隧道显微镜退火时间半平台扩散模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP(001)薄膜表面重构的研究: 8; 作者周海月赵振 +5 位作者郭祥魏文喆王一黄梦雅罗子江丁召《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第18期55-59,64,共6页; 通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53Ga0.47As薄膜表面重构进行研究。研究发现在两种As4BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β... 展开更多; 关键词 In0.53Ga0.47As薄膜表面重构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA的红外图像处理算法的测试系统被引量：5: 1; 作者张智勇杨晨刘海桥刘林张筱松丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期829-832,共4页; 基金贵州省科学技术基金(No.黔科合J字[2013]2129) 贵州大学研究生创新基金研理工(No.2013025)资助; 文摘为识别和提取红外图像中的有用信息,红外系统常采用各种算法处理采集到的数据。随着红外技术的不断发展,与红外相关的图像处理算法层出不穷。除了常规的图像处理算法外,为了提高人眼对红外图像的识别率,伪彩色编码技术也常被使用。为了便于在实际应用选取最佳的红外图像处理算法,基于FPGA设计了红外图像处理算法的测试系统,该系统能集成与红外相关的常见图像处理算法和实时添加的自定义图像处理算法,并利用显示终端对红外图像数据进行实时验证,通过对彩虹编码、热金属编码与图像锐化算法的测试试验,表明了该测试系统的实用性。; 关键词红外图像处理算法测试系统伪彩色彩虹编码热金属编码锐化; Keywords infrared image processing testing system of processing algorithm pseudo-color rainbow coding hotmetal coding sharpen algorithm; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学] TP391.4 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外伪彩色图像的去彩化研究被引量：2: 2; 作者杨晨张智勇王继红黄寓洋丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期403-407,共5页; 文摘为适应人眼的感知能力,伪彩色编码技术常被用于处理红外探测系统输出的灰度图像。较于灰度图像,计算机对彩色图像处理所需的存储量与计算量较大。鉴于某些红外设备只提供伪红外图像的输出,因此伪红外图像的去彩色化算法成为该文的主要研究目标。除利用最大值分解、平均值与光亮度法3种常见灰度化算法对伪红外图像的处理外,直接对伪彩色图像进行解码的方式也在文中被用于红外图像的去彩色化。实验基于上述两类方法,对线性与正弦非线性彩虹伪彩色图像的去彩色化进行了研究,并对处理后图像的质量进行了比较。实验结果表明,常规灰度算法处理后的伪彩色图像质量较差,而线性伪彩色图像经解码处理后可完全恢复出原图,实现0均方差;对于正弦非线性算法,虽然存在由量化误差引起的损失,但与原图像比仍有非常低的均方差(0.309 4)与高的峰值信噪比(101.356 0)。; 关键词伪彩色图像解码非线性量化误差; Keywords pseudo color image decode nonlinear quantization error; 分类号 TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计被引量：1: 3; 作者杨发顺马奎林洁馨丁召傅兴华; 机构贵州大学电子科学系贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期598-602,共5页; 基金贵州省工业科技攻关项目(黔科合GY字[2008]3033) 贵州大学研究生创新基金资助项目(省研理工2009003); 文摘设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40～85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0～50 mA,电源电压4.5～36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路。该电路采用6μm/36 V双极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能。; 关键词大负载电流低温度系数电源抑制比过热保护绝对温度比电流; Keywords large load current low temperature coefficient PSRR over temperature protection PTAT current; 分类号 TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同应力下的In_xGa_(1-x)As薄膜表面形貌被引量：1: 4; 作者郭祥王一魏文喆黄梦雅赵振王继红胡明哲丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期21-23,37,共4页; 基金国家自然科学基金(60866001) 教育部博士点基金(20105201110003) +1 种基金贵州省自然科学基金(20132092 黔科合J字[2014]2046号); 文摘利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。; 关键词 MBE INGAAS 表面形貌; Keywords MBE InGaAs surface morphology; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA的量子点波形VGA显示与标记方法研究被引量：1: 5; 作者张智勇杨晨郭祥丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《现代电子技术》 2014年第6期101-103,共3页; 基金贵州省科学技术基金(黔科合J字[2013]2129号) 贵州大学研究生创新基金(研理工2013025号); 文摘提出一种基于FPGA和硬件描述语言Verilog HDL实现STM-MBE量子点波形VGA显示与标记的方法,利用FPGA片内ROM,将量子点生长实验中量子点的高度数据波形显示在VGA显示器上;同时利用FPGA的控制优势及处理图像的高效性,实现对所有在VGA显示器上显示的波形图做手动和自动标记,便于分析量子点生长的优劣,以及描述量子点的表面形貌。通过量子点波形显示实验,得到了显示效果较好的量子点波形图,显示波形图上的任意点也能被手动和自动做标记。; 关键词 FPGA VERILOGHDL VGA显示量子点波形显示与标记; Keywords FPGA Verilog HDL VGA display quantum dot waveform display and mark; 分类号 TN710-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种超结高压肖特基势垒二极管: 6; 作者龚红马奎傅兴华丁召杨发顺; 机构贵州大学人民武装学院贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页; 基金贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2009]3026) 贵州省自然科学技术基金资助项目(黔科合J字[2014]2067) 贵州大学博士基金资助项目(贵大人基合字(2011)01号); 文摘改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时提高了器件的反向耐压。在工艺上通过4次n型外延和4次选择性p型掺杂实现了超结结构。基于相同的外延层厚度和相同的外延层杂质浓度分别设计和实现了常规SBD和SJ-SBD,测试得到常规SBD的最高反向击穿电压为110 V,SJ-SBD的最高反向击穿电压为229 V。实验结果表明,以超结结构作为SBD的耐压层能保证正向压降等参数不变的同时有效提高击穿电压,且当n柱和p柱中的电荷量相等时SJ-SBD的反向击穿电压最高。; 关键词肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压超结结构超结肖特基二极管(SJ-SBD) 功率器件; Keywords Schottky barrier diode（SBD） breakdown voltage super junction structure super junction Schottky barrier diode（SJ-SBD） power device; 分类号 TN312 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1: 7; 作者周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州财经大学教育管理学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期477-481,共5页; 基金贵州省自然科学基金(黔科合J字[2013]2114号黔科合J字[2014]2046号) +1 种基金贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2015082); 文摘采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。; 关键词分子束外延扫描隧道显微镜退火时间半平台扩散模型; Keywords MBE STM Annealing time The half-terrace diffusion theoretical model; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP(001)薄膜表面重构的研究: 8; 作者周海月赵振郭祥魏文喆王一黄梦雅罗子江丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州财经大学教育管理学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第18期55-59,64,共6页; 基金贵州省自然科学基金(黔科合J字[2013]2114号黔科合J字[2014]2046号) +1 种基金贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2015082); 文摘通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53Ga0.47As薄膜表面重构进行研究。研究发现在两种As4BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型。和低As4BEP条件相比,高As4BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型。对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生。; 关键词 In0.53Ga0.47As薄膜表面重构; Keywords scanning tunneling microscopy, Ino. In0.53 Ga0. 47 As films, arsenic beam equivalent pressure, surface re-construction; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于FPGA的红外图像处理算法的测试系统	张智勇杨晨刘海桥刘林张筱松丁召	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2014	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	红外伪彩色图像的去彩化研究	杨晨张智勇王继红黄寓洋丁召	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计	杨发顺马奎林洁馨丁召傅兴华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	不同应力下的In_xGa_(1-x)As薄膜表面形貌	郭祥王一魏文喆黄梦雅赵振王继红胡明哲丁召	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于FPGA的量子点波形VGA显示与标记方法研究	张智勇杨晨郭祥丁召	《现代电子技术》	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种超结高压肖特基势垒二极管	龚红马奎傅兴华丁召杨发顺	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析	周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP(001)薄膜表面重构的研究	周海月赵振郭祥魏文喆王一黄梦雅罗子江丁召	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料