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表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
1
作者
尹君
黄伟其
+3 位作者
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1082-1086,共5页
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时...
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
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关键词
硅量子面
表面键合
量子限制效应
带隙变窄效应
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职称材料
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
被引量：
3
2
作者
董泰阁
黄伟其
+5 位作者
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期197-202,共6页
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一...
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
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关键词
光致发光
电致发光
调节波长
Si-Yb量子级联
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职称材料
题名
表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
1
作者
尹君
黄伟其
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
机构
贵州大学纳米光子物理研究所
光电子技术与应用省重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1082-1086,共5页
基金
国家自然科学基金(11264007)资助项目
文摘
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
关键词
硅量子面
表面键合
量子限制效应
带隙变窄效应
Keywords
silicon quantum surface
surface bond
quantum confinement effect
band gap narrowing effect
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
被引量：
3
2
作者
董泰阁
黄伟其
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
机构
贵州大学纳米光子物理研究所
复旦
大学
表面
物理
研究所
中国科学院国家矿床地球化学重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期197-202,共6页
基金
国家自然科学基金项目(11264007)
文摘
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
关键词
光致发光
电致发光
调节波长
Si-Yb量子级联
Keywords
photoluminescence electroluminescence manipulating wavelength Si-- Yb quantum cascade
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
尹君
黄伟其
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
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职称材料
2
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
董泰阁
黄伟其
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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职称材料
已选择
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