期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
聚变堆中碳原子在碳氢薄膜表面再沉积行为的分子动力学模拟研究 被引量:4
1
作者 赵成利 孙伟中 +8 位作者 刘华敏 张浚源 吕晓丹 秦尤敏 宁建平 贺平逆 潘宇东 苟富均 Cheng-li Wei-zhong Hua-min Jun-yuan L(U) Xiao-dan You-min Jian-ping Ping-li Yu-dong Fu-jun 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期312-316,共5页
利用分子动力学方法模拟了碳原子与碳氢薄膜的作用过程。探讨了不同入射能量对碳原子与碳氢薄膜相互作用的影响。模拟结果表明碳原子与碳氢薄膜作用会在表面形成碳薄膜。随着入射能量的增加,碳薄膜厚度变薄。在碳薄膜中碳原子的成键形... 利用分子动力学方法模拟了碳原子与碳氢薄膜的作用过程。探讨了不同入射能量对碳原子与碳氢薄膜相互作用的影响。模拟结果表明碳原子与碳氢薄膜作用会在表面形成碳薄膜。随着入射能量的增加,碳薄膜厚度变薄。在碳薄膜中碳原子的成键形式主要为Csp2-Csp2和Csp2-Csp3,随入射能量的增加,碳原子键价结合形式从Csp2-Csp2向Csp2-Csp3转化。 展开更多
关键词 聚变堆 碳原子 碳氢 薄膜表面 沉积行为 分子动力学方法 模拟研究 fusion REACTOR dynamics simulation 入射能量 碳薄膜 作用过程 结合形式 相互作用 模拟结果 薄膜作用 薄膜厚度 原子键
在线阅读 下载PDF
入射能量对H2^+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟 被引量:1
2
作者 孙伟中 赵成利 +4 位作者 刘华敏 张浚源 吕晓丹 潘宇东 苟富均 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期85-90,共6页
用分子动力学方法研究了入射能量对H2+与SiC样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,在H2+轰击SiC样品表面的初始阶段,样品中H原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和。入射能量越大,样品中H原子的滞留量也就越大。样... 用分子动力学方法研究了入射能量对H2+与SiC样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,在H2+轰击SiC样品表面的初始阶段,样品中H原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和。入射能量越大,样品中H原子的滞留量也就越大。样品在H2+的轰击下,样品Si、C原子会发生刻蚀。入射能量越大,Si和C原子的刻蚀量越大。在相同入射能量下,Si原子的刻蚀量大于C原子。生成的产物中,以H,H2和SiH4为主;产物H2的量随着能量的增加而减小。其他产物随着入射能量的增加而增加。 展开更多
关键词 分子动力学 入射能量 滞留H原子 刻蚀
在线阅读 下载PDF
入射角度对Ar^+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟
3
作者 孙伟中 张浚源 +2 位作者 赵成利 陈峰 苟富均 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第16期136-139,共4页
采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小。相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si... 采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小。相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si原子和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布几乎没有影响,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。 展开更多
关键词 分子动力学 SIC 溅射 角度分布
在线阅读 下载PDF
样品温度对Ar^+与SiC样品表面相互影响的分子动力学模拟
4
作者 孙伟中 赵成利 +4 位作者 刘华敏 张浚源 吕晓丹 潘宇东 苟富均 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期317-322,共6页
采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不大。在相同温度下,Si原子的溅射产额要高于C原子的溅射产额。... 采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不大。在相同温度下,Si原子的溅射产额要高于C原子的溅射产额。溅射出来的Si原子和C原子主要来源于样品的表层区域,样品中的Si和C原子密度、键密度及它们的成键方式也发生了较大的变化。初始样品中Si和C原子的密度是均匀的,而被轰击过后的样品表面Si原子的密度要高于C原子,而样品中部C原子的密度要高于Si原子。初始样品都是Si-C键,成键方式为Si-Csp3;被轰击过后又有Si-Si和C-C键,成键方式也发生了变化,还有Si-Csp1和Si-Csp2。 展开更多
关键词 样品温度 SIC 表面相互作用 相互影响 分子动力学模拟 dynamics simulation MOLECULAR 原子密度 溅射产额 成键方式 模拟结果 轰击 方法研究 Si-C键 C-C键 中部 升高 射出 区域 表层
在线阅读 下载PDF
C^+轰击铍的分子动力学模拟 被引量:3
5
作者 孙伟中 赵成利 +3 位作者 张浚源 陈峰 潘宇东 苟富均 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期207-212,共6页
使用分子动力学模拟方法研究了入射能量对C+离子与Be样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,随着C+离子的入射能量增大,C+离子注入深度也增加,Be原子的溅射产额近似线性增加,而滞留在样品中的C原子数量变化不大,在C+离子轰击Be样品的初... 使用分子动力学模拟方法研究了入射能量对C+离子与Be样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,随着C+离子的入射能量增大,C+离子注入深度也增加,Be原子的溅射产额近似线性增加,而滞留在样品中的C原子数量变化不大,在C+离子轰击Be样品的初始阶段,样品中Be原子的溅射产额较大,而随着C+离子注入剂量的增加,Be原子的溅射产额逐渐减小并趋于稳定。在此作用过程中,在样品表面形成一个富C层,减缓了样品中Be原子的溅射速率,起到了保护Be样品的作用。 展开更多
关键词 分子动力学 入射能量 溅射 滞留 富C层
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部