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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
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作者 王绪 杨发顺 +2 位作者 熊倩 周柳含 马奎 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期50-56,共7页
选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原... 选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原子扩散进入AlN晶格,取代铝原子的位置,形成掺杂硅的AlN薄膜.有效的硅掺杂导致AlN(002)衍射峰向一个较大的角度偏移,且偏移的角度随掺杂的浓度升高而增大.且硅衬底上的样品,使用能量色散光谱仪测试结果表明,衬底硅将作为固定的扩散源扩散到薄膜中,增加非故意掺杂浓度,因此可以在整个薄膜截面内测量到硅元素.蓝宝石的衬底的样品在热扩散后出现裂纹. 展开更多
关键词 N型氮化铝 硅掺杂 磁控溅射 热扩散 衬底反扩散
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基于CAN总线的轿车车窗智能控制系统设计 被引量:5
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作者 高士友 王代强 +1 位作者 王义 刘桥 《电子设计工程》 2009年第3期45-48,共4页
随着电动车窗的普及和CAN总线广泛应用,车窗智能控制系统开发面临市场机遇。介绍基于CAN总线轿车车窗智能控制系统的设计方案。该系统通过检测车窗电机电流实现防夹功能,同时增加在发生意外事故时车窗的强制打开和关闭功能。该系统具有... 随着电动车窗的普及和CAN总线广泛应用,车窗智能控制系统开发面临市场机遇。介绍基于CAN总线轿车车窗智能控制系统的设计方案。该系统通过检测车窗电机电流实现防夹功能,同时增加在发生意外事故时车窗的强制打开和关闭功能。该系统具有良好的可移植性和可扩展性,对实现汽车电动车窗的智能化控制和人性化设计有一定的实用价值。 展开更多
关键词 CAN总线 智能控制 防夹 电机电流
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在大学物理教学中引入仿真测试技术提高教学效果 被引量:11
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作者 张明 李良荣 《大学物理》 北大核心 2011年第6期32-34,37,共4页
将EDA技术中的仿真测试技术应用于"大学物理"教学,课堂教学气氛和谐、师生互动性强,有利于拓展学生的思维空间,启发了学生思考问题的积极性,提高了教学的效率.
关键词 大学物理 仿真测试技术 教学质量
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1.5V低功耗Rail-to-RailCMOS运算放大器 被引量:5
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作者 徐跃 黄海云 傅兴华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第5期138-141,共4页
基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-RailCMOS运算放大器。本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS,sat。运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类... 基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-RailCMOS运算放大器。本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS,sat。运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类推挽电路作rail-to-rail输出级,获得了高驱动能力和低谐波失真。芯片测试结果表明,在100pF负载电容和1K负载电阻并联条件下,运放的静态功耗只有270μW,开环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了70dB,2.2MHz和60°。 展开更多
关键词 CMOS 低功耗 rail—to—rail 运算放大器
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一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺 被引量:2
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作者 马奎 杨发顺 +1 位作者 林洁馨 傅兴华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第10期93-96,共4页
当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到V... 当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到VDMOS的阈值电压为2.5V,击穿电压为161V;NPN管和PNP管的C-E耐压分别为47.32V、32.73V,β分别为39.68、9.8;NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0.65V、-1.16V,D-S耐压分别为17.37V、14.72V. 展开更多
关键词 BCD工艺 VDMOS 漏极背面引出
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双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计 被引量:1
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作者 杨发顺 马奎 +2 位作者 林洁馨 丁召 傅兴华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期598-602,共5页
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectr... 设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40~85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0~50 mA,电源电压4.5~36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路。该电路采用6μm/36 V双极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能。 展开更多
关键词 大负载电流 低温度系数 电源抑制比 过热保护 绝对温度比电流
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汽车电压调节器集成电路芯片版图设计 被引量:1
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作者 杨发顺 林洁馨 +2 位作者 马奎 丁召 傅兴华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期930-934,共5页
介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调... 介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。 展开更多
关键词 汽车电压调节器芯片 功率集成电路 版图设计 可靠性
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一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计 被引量:1
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作者 马奎 杨发顺 傅兴华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第12期89-91,95,共4页
在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准... 在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准核心电路工作电压的隔离,拓宽了电源电压范围,采用双重电流负反馈保证了基准电压的高精度输出.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的各项电参数进行仿真验证,得到电源电压范围9~30V,在-20~125℃范围内温度系数5.688×10-6/℃,启动时间6.369μs,负载电流0~40mA,输出为5V的集成电压基准源电路. 展开更多
关键词 高精度 宽电源范围 HV_PMOS 双重电流负反馈
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MOS电流模逻辑加法器结构设计 被引量:1
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作者 梁蓓 马奎 傅兴华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第2期60-64,共5页
为克服传统静态CMOS电路在高频工作时的缺陷,引入了MOS电流模逻辑(MOS Current Mode Logic,MCML)电路.MCML电路是一种差分对称结构逻辑电路,与传统的CMOS电路比较,在高频段工作时功耗相对较低,具有典型的高速低功耗特性.在对MCML电路的... 为克服传统静态CMOS电路在高频工作时的缺陷,引入了MOS电流模逻辑(MOS Current Mode Logic,MCML)电路.MCML电路是一种差分对称结构逻辑电路,与传统的CMOS电路比较,在高频段工作时功耗相对较低,具有典型的高速低功耗特性.在对MCML电路的开关条件以及具有不同输入端的MCML逻辑门电路进行分析后,提出了实现MCML加法器的两种电路结构,并给出了不同结构的应用条件.仿真结果验证了电路结构设计的有效性. 展开更多
关键词 MCML 高速低功耗电路 加法器结构 差分逻辑电路
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一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究 被引量:1
10
作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期740-745,共6页
在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充... 在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充二氧化硅和非掺杂多晶硅形成的介质隔离槽实现隔离。在外延层中进行多次选择性地掺杂反型杂质,经高温退火后形成夹层,将此夹层引出到硅片表面后偏置在合适的电位即可实现顶层和底层之间的隔离。电参数测试得到外延层和夹层之间形成的pn结的耐压为179 V,介质隔离槽的耐压为138 V。SEM图像显示介质隔离槽得到很好地实现。 展开更多
关键词 半绝缘 纵向器件 多次外延 多次选择性掺杂 介质隔离槽
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高性能双极型集成电路晶体管 被引量:1
11
作者 傅兴华 陈军宁 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第6期631-642,共12页
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
关键词 双极集成电路 异质结 双极型晶体管
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提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
12
作者 林洁馨 杨发顺 +1 位作者 马奎 龚红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期133-136,共4页
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工... 影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。 展开更多
关键词 高温反偏 掺氯氧化 聚酰亚胺 表面钝化技术
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基于超结结构的肖特基势垒二极管(英文)
13
作者 马奎 杨发顺 傅兴华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期134-139,共6页
在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压... 在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。 展开更多
关键词 击穿电压 导通电阻 肖特基势垒二极管 超结
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脉冲电流测量小电阻 被引量:1
14
作者 许昕 许家时 《电子工程师》 2001年第8期38-39,共2页
提出了一种新的精确测量小电阻的方法。给出了测量装置的硬件和软件设计 。
关键词 小电阻测量 脉冲电流 电子设备
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MgB_2超导多层膜的制备方案
15
作者 罗子江 杨健 王继红 《物理实验》 2007年第4期13-15,共3页
简要叙述了MgB2的发展和制备历史,通过对不同衬底材料上MgB2的反应情况的总结概括以及对不同衬底材料和MgB2的晶体结构和晶格常量的比较,提出一种MgB2超导多层膜的制备方案.
关键词 超导 MgB2多层膜 衬底材料
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DTMF编解码芯片的研究 被引量:4
16
作者 王明甲 傅兴华 +1 位作者 张万里 陈茜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第3期189-193,197,共6页
DTMF(Dual-ToneMultiFrequency)是有线电话中的拨号方式。它比脉冲拨号方式速度快、可靠性高,因此被广泛应用于自动电话拨号中。文章介绍了DTMF编解码的原理,并介绍了一种DTMF编解码芯片的设计方法。经过Spectreverilog仿真验证,达到设... DTMF(Dual-ToneMultiFrequency)是有线电话中的拨号方式。它比脉冲拨号方式速度快、可靠性高,因此被广泛应用于自动电话拨号中。文章介绍了DTMF编解码的原理,并介绍了一种DTMF编解码芯片的设计方法。经过Spectreverilog仿真验证,达到设计要求。 展开更多
关键词 DTMF Spectreverilog D/A转换器 开关电容
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一种4灰度级LCD驱动芯片的设计研究 被引量:3
17
作者 吕品 傅兴华 +1 位作者 王明甲 张万里 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第1期123-125,共3页
介绍了一种具有4种灰度级的STNLCD驱动芯片的总体设计方案,重点讨论分析了其关键模块—接口电路、控制电路和驱动电路的设计,并用VERILOG硬件描述语言对所设计的驱动芯片的功能进行了仿真验证。
关键词 STN LCD LCD驱动器 FPGA仿真 Verilog仿真.脉宽灰度调制(PWM)
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一种适用于LED驱动的高压稳压电路设计 被引量:5
18
作者 苏艺俊 马奎 +2 位作者 胡锐 陈潇 杨发顺 《电子技术应用》 北大核心 2017年第3期25-28,共4页
在LED驱动电路中,若采用传统的BUCK型DC-DC降压方式或利用MOS管级联钳制降压方式为芯片内部低压模块提供电源,存在不易集成化和受高压工艺限制等问题。为此,提出了一种改进的高压稳压电路,利用高压LDMOS构成电流源对RC电路充电,电容上... 在LED驱动电路中,若采用传统的BUCK型DC-DC降压方式或利用MOS管级联钳制降压方式为芯片内部低压模块提供电源,存在不易集成化和受高压工艺限制等问题。为此,提出了一种改进的高压稳压电路,利用高压LDMOS构成电流源对RC电路充电,电容上的电压经过线性稳压器稳压后给芯片提供稳定的低压电源。该电路只需外置电容,其他部分均可集成在一块芯片上。基于华虹宏力0.5μm 700V BCD工艺对电路进行仿真验证,在0~311 V周期脉动高电压输入条件下,电路能稳定输出4.97 V;负载电流在0~10 mA范围内变化,负载调整率为11.6 mV/mA;在-40℃~130℃温度范围内,输出电压温度系数为27.2 ppm/℃。仿真结果表明,该高压稳压电路各指标参数均满足预期要求。 展开更多
关键词 LED驱动 高压稳压电路 线性稳压 低压电源 BCD工艺
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逐次逼近(SAR)模数转换器进展 被引量:2
19
作者 刘萌 马奎 +1 位作者 刘娇 傅兴华 《电子设计工程》 2015年第15期8-12,共5页
介绍了逐次逼近模数转换器(SAR-ADC)的原理结构和研究现状,主要对SAR-ADC中的DAC、比较器、校准方法等主要模块进行了讨论。基于精度、速度、功耗的考虑,分别对SAR-ADC中的DAC结构进行分析比较,其多采用分段电容阵列或差分电容阵列。简... 介绍了逐次逼近模数转换器(SAR-ADC)的原理结构和研究现状,主要对SAR-ADC中的DAC、比较器、校准方法等主要模块进行了讨论。基于精度、速度、功耗的考虑,分别对SAR-ADC中的DAC结构进行分析比较,其多采用分段电容阵列或差分电容阵列。简述了比较器在功耗、速度、精度方面的结构调整。基于降低非理想效应,提高精度目的,对比分析了3种校准方法。为不同电路选择适当校准提供参考依据。最后总结了目前SAR-ADC的发展趋势。 展开更多
关键词 逐次逼近 模数转换器 DAC 比较器 校准
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智能化分段线性恒流LED驱动电源设计 被引量:4
20
作者 苏艺俊 马奎 +1 位作者 胡锐 杨发顺 《电子技术应用》 北大核心 2017年第11期38-42,共5页
传统的开关型LED驱动电源中含有大电解电容和高频变压器,导致LED驱动电源的体积庞大且使用寿命较短。分段式线性恒流驱动电源可以避免使用大电解电容和高频变压器。设计了一种新型的分段线性恒流LED驱动电源,利用整流之后的高压脉动直... 传统的开关型LED驱动电源中含有大电解电容和高频变压器,导致LED驱动电源的体积庞大且使用寿命较短。分段式线性恒流驱动电源可以避免使用大电解电容和高频变压器。设计了一种新型的分段线性恒流LED驱动电源,利用整流之后的高压脉动直流电压的变化,自适应地控制LED灯珠分阶段恒流工作。除整流桥和采样电阻外,整个驱动电路可实现单芯片集成,有效缩小了体积、延长了寿命。电路中还设计了智能拓展端口,可实现智能化控制。基于华虹宏力0.5μm 700 V BCD工艺对电路进行了仿真验证,在0~311 V周期脉动高电压输入条件下,驱动芯片分四阶段恒流工作,输出最大恒定电流可达97.17 m A,在恒流阶段,电流的瞬态精度误差仅为0.031%。仿真结果表明,该LED驱动电路各指标参数均满足预期要求。 展开更多
关键词 LED驱动 分段控制 线性恒流 智能化
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