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电子设计教学与课程体系研究 被引量:13
1
作者 马光喜 李良荣 李震 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2014年第7期165-168,188,共5页
电子设计(即电子系统设计)教学课程体系,是指电子信息学科本科生教学体系中,除"校、院级平台课"之外的专业技术课程体系。本研究的目标,是构建符合现阶段电子技术人才实践能力培养需求的课程体系。电子设计教学是一个系统工程... 电子设计(即电子系统设计)教学课程体系,是指电子信息学科本科生教学体系中,除"校、院级平台课"之外的专业技术课程体系。本研究的目标,是构建符合现阶段电子技术人才实践能力培养需求的课程体系。电子设计教学是一个系统工程,实践能力培养体系一直处在改革和建设之中。论文阐述贵州大学电子信息学科教学体系改革与实施的方法,重点从课程体系的电路基础层、综合设计层、专业基础层、研究创新层等4个教学层次设计展开研究与探索。通过多年的教学实践活动证明,这套课程体系对大学生实践能力的提高有显著效果。 展开更多
关键词 电子设计 实践教学 课程体系
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点缺陷对单层MoS_2电子结构及光学性质的影响研究 被引量:3
2
作者 范梦慧 谢泉 +4 位作者 蔡勋明 岑伟富 骆最芬 郭笑天 闫万珺 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期456-462,共7页
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对不同类型点缺陷单层Mo S2电子结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.计算结果表明:单层Mo S2属于直接带隙半导体,禁带宽度为1.749e V,Mo空位缺陷V-Mo的存在使得单层Mo S2转化为间接带隙Eg=0.... 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对不同类型点缺陷单层Mo S2电子结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.计算结果表明:单层Mo S2属于直接带隙半导体,禁带宽度为1.749e V,Mo空位缺陷V-Mo的存在使得单层Mo S2转化为间接带隙Eg=0.660e V的p型半导体,S空位缺陷V-S使得Mo S2带隙变窄为Eg=0.985e V半导体,S原子替换Mo原子S-Mo反位缺陷的存在使得Mo S2转化为带隙Eg=0.374e V半导体;Mo原子替换S原子Mo-S反位缺陷形成Eg=0.118e V直接带隙半导体.费米能级附近的电子态密度主要由Mo的4d态和s的3p态电子贡献.光学性质计算表明:空位缺陷对Mo S2的光学性质影响最为显著,可以增大Mo S2的静态介电常数、折射率n0和反射率,降低吸收系数和能量损失. 展开更多
关键词 MOS2 第一性原理 缺陷 电子结构 光学性质
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硅基外延Mn4Si7薄膜电子结构与光学性质研究 被引量:4
3
作者 刘怿辉 谢泉 陈茜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期9-12,共4页
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外延关系Mn4Si7(001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431nm、c=1.747nm时,M... 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外延关系Mn4Si7(001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431nm、c=1.747nm时,Mn4Si7为带隙宽度为0.834eV的直接带隙半导体。Mn4Si7费米面附近的价带主要由Mn的3d5态电子构成,导带主要由Mn的3d5态电子及Si的3p态电子构成。静态介电常数ε1(0)=14.48,折射率n0=3.8056。 展开更多
关键词 Mn4Si7 硅基外延 第一性原理 电子结构 光学性质
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厚膜电阻的研究现状及发展趋势 被引量:15
4
作者 李强 谢泉 +1 位作者 马瑞 黄晋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期31-38,共8页
首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。
关键词 厚膜电阻 制备工艺 导电机理
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压电传感器前置信号接收电路设计 被引量:10
5
作者 金浩 张晋敏 +2 位作者 唐华杰 谢泉 董珍时 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第12期10-12,共3页
基于压电传感器AC192设计了一种信号读取电路,用于桥梁道路以及机械动力系统健康状态监控与检测。该信号读取电路主要用于压电传感器振动时微弱信号的检测,转换成数字信号前进行滤波转换信号的调理等利用MCU控制多路复用开关解决了系统... 基于压电传感器AC192设计了一种信号读取电路,用于桥梁道路以及机械动力系统健康状态监控与检测。该信号读取电路主要用于压电传感器振动时微弱信号的检测,转换成数字信号前进行滤波转换信号的调理等利用MCU控制多路复用开关解决了系统多频段场合使用问题,用加入高通偏置电压方法实现了单电源供电高通有源滤波,从而使整个系统更加稳定。该电路经过实际应用检测,符合现场诊断要求。 展开更多
关键词 压电传感器 电流源 信号检测 单电源供电
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一种基于FPGA的实时视频跟踪系统硬件平台设计 被引量:14
6
作者 刘紫燕 冯亮 祁佳 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第7期98-102,共5页
提出一种基于FPGA的视频跟踪系统硬件平台的设计方法,包括主控芯片、CMOS图像采集、多端口SDRAM控制器、图像VGA显示、SOPC系统和云台控制驱动等电路的设计。通过该平台,可以实现实时图像采集、缓存、显示和云台驱动;在SOPC系统中加入代... 提出一种基于FPGA的视频跟踪系统硬件平台的设计方法,包括主控芯片、CMOS图像采集、多端口SDRAM控制器、图像VGA显示、SOPC系统和云台控制驱动等电路的设计。通过该平台,可以实现实时图像采集、缓存、显示和云台驱动;在SOPC系统中加入代码,可以实现运动目标的检测、跟踪、定位,改变云台转动方向,实现自主跟踪。 展开更多
关键词 视频跟踪 图像处理 现场可编程门阵列
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UWB天线的宽带化技术及其发展 被引量:8
7
作者 黄梦雅 丁召 胡明哲 《电讯技术》 北大核心 2014年第2期236-244,共9页
在现代通信技术中,为了实现通信保密、排除干扰、提高通信效率等,超宽带系统得到了大力发展,然而,在一定程度上却受制于系统中超宽带天线的阻抗带宽。详细介绍了展宽天线阻抗带宽的4种方法,包括渐变阻抗方法、分形几何方法、微带天线开... 在现代通信技术中,为了实现通信保密、排除干扰、提高通信效率等,超宽带系统得到了大力发展,然而,在一定程度上却受制于系统中超宽带天线的阻抗带宽。详细介绍了展宽天线阻抗带宽的4种方法,包括渐变阻抗方法、分形几何方法、微带天线开槽方法和非频变结构方法,其中分形几何方法由于其几何结构的自相似性使得其贴片电流分布具有自相似性,从而导致天线的多频点谐振,有效拓展了天线带宽。上述4种天线尽管作用原理互不相同,但在超宽带天线的工程应用中,研究者可将这些方法单独或同时应用于天线结构设计,使得天线既能保持良好的方向性和增益等性能,又能获得较大带宽。 展开更多
关键词 超宽带天线 阻抗带宽 渐变结构 分形结构 开槽技术 非频变技术
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基于LabJack U12和LabVIEW的数据采集系统设计 被引量:4
8
作者 彭嫚 贾海朋 +1 位作者 张正平 贺松 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2007年第10期25-26,共2页
虚拟仪器是计算机和仪器技术深层次结合的产物,它将计算机硬件资源、仪器与测控系统硬件资源和虚拟仪器软件资源有效结合起来。文章介绍了基于LabJack U12数据采集器和LabVIEW图形化编程语言组成虚拟仪器测试系统的硬件和软件以及仪器... 虚拟仪器是计算机和仪器技术深层次结合的产物,它将计算机硬件资源、仪器与测控系统硬件资源和虚拟仪器软件资源有效结合起来。文章介绍了基于LabJack U12数据采集器和LabVIEW图形化编程语言组成虚拟仪器测试系统的硬件和软件以及仪器的功能特点,实现了数据采集、测试的控制与实时显示、数据存储与分析等功能,提高了测试的精度。该虚拟仪器灵活性好,能够根据需要移植应用到其它的测试场合。 展开更多
关键词 虚拟仪器 LABVIEW 数据采集 LabJackU12
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基于E型双模谐振器的源负载耦合带通滤波器设计 被引量:5
9
作者 雷涛 向天宇 张正平 《电讯技术》 北大核心 2014年第8期1129-1133,共5页
为实现滤波器的小型化和高性能,提出了两款中心加载的E型双模谐振器,并对其进行了奇偶模分析。在此基础上通过引入源负载耦合,采用ADS与HFSS软件进行了仿真与优化。开路支节加载与短路支节加载的E型双模谐振器分别比方环谐振器减少42.8%... 为实现滤波器的小型化和高性能,提出了两款中心加载的E型双模谐振器,并对其进行了奇偶模分析。在此基础上通过引入源负载耦合,采用ADS与HFSS软件进行了仿真与优化。开路支节加载与短路支节加载的E型双模谐振器分别比方环谐振器减少42.8%与52.6%。实测结果表明,设计的滤波器中心频率分别为4.22 GHz和3.75 GHz,相对带宽分别为33.6%和9.1%,带内插损分别为-0.9 dB和-1.9 dB,带外零点位置与计算仿真结果吻合良好。这两款滤波器不仅尺寸小、插损低,并且具有宽阻带、传输零点可调的优点,短路支节加载的双模滤波器在选择性与带外抑制方面性能更好,可以广泛应用于各种微波电路中。 展开更多
关键词 带通滤波器 E型双模谐振器 源负载耦合 传输零点 带外抑制
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硅基AlN椭圆形IDT-SAW滤波器的设计 被引量:3
10
作者 王代强 陈雨青 +1 位作者 姚祖铭 刘桥 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1691-1694,共4页
在已知的压电材料中,AlN薄膜的声表面波传播速度是最快的。采用硅基AlN薄膜作为压电材料,利用变迹加权的方法来优化设计IDT,改进型δ函数模型为椭圆形结构IDT的建模工具。通过建模仿真并根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,在实验室制... 在已知的压电材料中,AlN薄膜的声表面波传播速度是最快的。采用硅基AlN薄膜作为压电材料,利用变迹加权的方法来优化设计IDT,改进型δ函数模型为椭圆形结构IDT的建模工具。通过建模仿真并根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,在实验室制作了中心频率为300MHz,带内插损11dB的SAW带通滤波器样品,测试结果表明其仿真结果与试验结果一致性较好,具有实际应用意义。 展开更多
关键词 滤波器 椭圆形IDT结构 变迹加权 插入损耗 ALN薄膜
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新型交叉耦合双模宽带带通滤波器设计 被引量:4
11
作者 雷涛 向天宇 张正平 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2015年第1期67-69,73,共4页
采用变形的阶梯阻抗谐振器(SIR)设计了一款小型化、高性能新型宽带带通滤波器。通过对经典的SIR进行弯折,在高阻抗线之间引入交叉耦合构成交叉耦合多模谐振器。该谐振器具有与经典SIR相同的谐振模式,由前两个谐振模式构成通带,并且在上... 采用变形的阶梯阻抗谐振器(SIR)设计了一款小型化、高性能新型宽带带通滤波器。通过对经典的SIR进行弯折,在高阻抗线之间引入交叉耦合构成交叉耦合多模谐振器。该谐振器具有与经典SIR相同的谐振模式,由前两个谐振模式构成通带,并且在上下阻带产生两对对称的传输零点。该带通滤波器结构紧凑、带内差损非常小,同时由于带外传输零点的存在,一阶杂散得到有效抑制,带外特性明显改善。 展开更多
关键词 阶梯阻抗谐振器 交叉耦合 传输零点 杂散抑制
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超薄Ni_(0.86)Pt_(0.14)金属硅化物薄膜特性 被引量:2
12
作者 张青竹 高建峰 +3 位作者 许静 赵利川 吴次南 闫江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期370-376,共7页
通过研究超薄Ni-0.86 Pt-0.14㈦。金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60S与480℃/10s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni(Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最好,且在600oC依然保持形态稳定。应用此退火条件,Ni-0.86 Pt... 通过研究超薄Ni-0.86 Pt-0.14㈦。金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60S与480℃/10s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni(Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最好,且在600oC依然保持形态稳定。应用此退火条件,Ni-0.86 Pt-0.14在0.5μm和22nmCMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜,同时没有形成任何尖峰。对于更薄的硅化物,实验结果表明,2nmNi-0.86 Pt-0.14形成的超薄硅化物界面平整,均匀性好,没有在界面出现Ni-0.95 Pt-0.05金属硅化物的“倒金字塔形”尖峰。结果显示,比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni(Pt)Si硅化物薄膜,后者比前者电阻率约低10%~26%,该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用。 展开更多
关键词 硅化物 尖峰 界面 热稳定 快速热退火(RTA)
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层次聚类算法的实时图像边缘检测及FPGA实现 被引量:5
13
作者 刘紫燕 祁佳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第1期53-57,共5页
Sobel、Roberts算子是基于微分得出的,由于模板和阈值固定,因此缺乏自适应性。将采集到的实时灰度图像先进行中值滤波,使用分裂聚类算法对实时灰度图像梯度值进行第1次聚类,然后对第1次分裂聚类的结果进行凝聚聚类,再进行第2次的分裂聚... Sobel、Roberts算子是基于微分得出的,由于模板和阈值固定,因此缺乏自适应性。将采集到的实时灰度图像先进行中值滤波,使用分裂聚类算法对实时灰度图像梯度值进行第1次聚类,然后对第1次分裂聚类的结果进行凝聚聚类,再进行第2次的分裂聚类,最后对第2次聚类的结果进行自适应阈值判断得出图像边缘,并在FPGA上实现。实验结果表明,采用层次聚类算法检测出的边缘更加精细,抑制噪声能力更强。 展开更多
关键词 分裂聚类算法 凝聚聚类算法 自适应阈值 FPGA 边缘检测
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两种势下硅锗合金熔体快速凝固过程的分子动力学模拟 被引量:2
14
作者 郭笑天 闫万珺 +2 位作者 高廷红 谢卓成 谢泉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期838-843,共6页
分别采用Stillinger Weber(S-W)势和Tersoff势来描述硅锗原子间相互作用,运用分子动力学方法对比模拟研究了硅锗合金熔体的快速凝固过程.通过对径向分布函数、静态结构因子、键角分布函数、配位数、Voronoi多面体以及宏观密度的研究,综... 分别采用Stillinger Weber(S-W)势和Tersoff势来描述硅锗原子间相互作用,运用分子动力学方法对比模拟研究了硅锗合金熔体的快速凝固过程.通过对径向分布函数、静态结构因子、键角分布函数、配位数、Voronoi多面体以及宏观密度的研究,综合对比发现,Tersoff势和S-W势相比更适合描述硅锗合金的快速凝固过程. 展开更多
关键词 硅锗合金熔体 微观结构 快速凝固 Tersoff势 S-W势
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GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢 被引量:1
15
作者 罗子江 周勋 +2 位作者 王继红 郭祥 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期11105-11109,共5页
通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1... 通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。 展开更多
关键词 临界减慢 GaAs薄膜 预粗糙化 临界温度
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膜/块体结构氧化物复合磁电材料研究进展 被引量:1
16
作者 王婧 吴霞 +2 位作者 邓朝勇 朱孔军 南策文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期905-911,共7页
由铁氧体(如:CoFe2O4,NiFe2O4)和铁电相(如:BaTiO3,Pb(ZrxTi1-x)O3)组成的复合材料是经典的复合磁电材料,也是最早在室温下观察到大磁电耦合效应的复合材料。这类复合材料的制备通常是在高于1200℃的高温条件下将铁氧体相和铁电相两相... 由铁氧体(如:CoFe2O4,NiFe2O4)和铁电相(如:BaTiO3,Pb(ZrxTi1-x)O3)组成的复合材料是经典的复合磁电材料,也是最早在室温下观察到大磁电耦合效应的复合材料。这类复合材料的制备通常是在高于1200℃的高温条件下将铁氧体相和铁电相两相共烧而成。然而,在高温过程中不可避免的存在原子互扩散及两相界面反应,甚至出现微裂纹。本文综合介绍了几种通过直接在一种铁性氧化物块体上生长另一种铁性陶瓷膜的方法,从而实现铁电、铁磁两相之间的低温复合(一般不高于800℃),避免了高温共烧过程中的固有问题,并展示了此类膜/块体复合体系的磁电耦合性能常用的表征方法。 展开更多
关键词 膜/块体复合 磁电效应 低温制备 综述
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可用于多种压电传感器动态特性补偿方法的研究 被引量:6
17
作者 王义 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1793-1795,共3页
提出了一种扩展压电传感器频率响应范围的动态特性补偿方法,其基本原理是用CCD器件构造出一个FIR滤波器的硬件补偿网络.只要对CCD器件的时钟频率加以变化,就可以补偿多种压电传感器的动态特性,扩展压电传感器的工作频带.仿真的结果表明... 提出了一种扩展压电传感器频率响应范围的动态特性补偿方法,其基本原理是用CCD器件构造出一个FIR滤波器的硬件补偿网络.只要对CCD器件的时钟频率加以变化,就可以补偿多种压电传感器的动态特性,扩展压电传感器的工作频带.仿真的结果表明应用这种动态补偿的方法可以显著地提高传感器的动态特性,有效改善传感器的动态品质. 展开更多
关键词 压电传感器 动态特性 补偿网络 FIR滤波器
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清水江流域人工林拓展与本土知识的关联性研究 被引量:7
18
作者 马国君 李红香 《古今农业》 2014年第2期54-65,共12页
清水江流域位处我国云贵高原向湘西丘陵的过渡地带,气候温暖湿润,林木蓊蘙,属典型的原始常绿阔叶林分布带。有明以降,随着清水江流域林木贸易规模的扩大,原有的常绿阔叶林逐渐被人工林取代,这一变化,除了经济、政治等原因外,还与该流域... 清水江流域位处我国云贵高原向湘西丘陵的过渡地带,气候温暖湿润,林木蓊蘙,属典型的原始常绿阔叶林分布带。有明以降,随着清水江流域林木贸易规模的扩大,原有的常绿阔叶林逐渐被人工林取代,这一变化,除了经济、政治等原因外,还与该流域各族居民发挥自己的本土知识直接关联,他们丰厚的育苗、护林技术,人工林与匹配树种的选择诸多经验,很值得当今学界发掘、利用。因此认真梳理清水江流域各类林业文献,揭示其间的生态技术和技能,对于我国当前长江流域的生态建设与经济建设将大有裨益。 展开更多
关键词 人工林 本土知识 林契
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新型近红外超长余辉材料Zn_3Al_2Ge_2O_(10)∶Cr^(3+)的发光性能 被引量:9
19
作者 杨小平 崔瑞瑞 +1 位作者 张弛 邓朝勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期300-305,共6页
采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 n... 采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 nm光的激发下,发射光谱主要由两个明显的窄峰叠加在Cr3+离子的自旋允许跃迁4T2→4A2辐射的宽发射带上。发光强度随着Cr3+离子掺杂浓度的增大和煅烧温度的升高而出现浓度猝灭及温度猝灭现象。当Zn3Al2-xGe2O10∶xCr3+中的Cr3+离子掺杂量x为2%且煅烧温度为1 350℃时,样品的近红外发光及余辉强度最大。材料的余辉持续时间超过300 h,余辉发射谱峰位与荧光发射光谱中的N线一致,均位于697 nm附近。最后分析了煅烧温度对样品余辉性能的影响,并对材料的余辉机制进行了探讨。 展开更多
关键词 近红外长余辉 Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+ 浓度猝灭 反位缺陷
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基于再采样的图像重采样伪作检测 被引量:7
20
作者 刘一 刘本永 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2014年第3期815-819,共5页
重采样是图像篡改中的一种典型操作,针对现有重采样伪作检测算法对于JPEG压缩格式的图像检测效果不理想,也无法准确估计其中的缩放因子的问题,提出了基于再采样的图像重采样检测算法。该算法先将待检验的JPEG图像以缩放因子小于1进行再... 重采样是图像篡改中的一种典型操作,针对现有重采样伪作检测算法对于JPEG压缩格式的图像检测效果不理想,也无法准确估计其中的缩放因子的问题,提出了基于再采样的图像重采样检测算法。该算法先将待检验的JPEG图像以缩放因子小于1进行再次重采样,以削弱JPEG压缩对算法的影响,再利用重采样信号二阶导数具有的周期性来进行重采样操作检测。实验结果表明,该算法具有很强的抗JPEG压缩能力,同时能够准确估计真实的缩放因子。另外,该算法对于经过不同缩放因子而得到的图像进行合成时的重采样操作,也有明显的检测效果。 展开更多
关键词 数字图像盲取证 重采样伪作检测 再采样 抗JPEG压缩 缩放因子估计
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