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ZnO基稀磁半导体材料研究进展
被引量：
3
1
作者
周勋
沈益斌
+2 位作者
段满益
徐明
令狐荣锋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期106-109,共4页
随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总...
随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。
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关键词
ZNO
稀磁半导体
铁磁序
反铁磁序
电子结构
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职称材料
InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
2
作者
郭祥
周勋
+4 位作者
罗子江
王继红
周清
刘珂
丁召
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1266-1269,共4页
对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2...
对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表面最顶层的Asdimer也一起脱离表面，（3×1）重构表面实际上是由20％的富As（2×4）重构区域与80％的富In（4×2）重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域，使样品表面恢复N（2×4）重构相，而（2X4）蓖构相能在390～490℃温度范同内稳定存在。
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关键词
扫描隧道是微镜InAs(001)
重构
不可逆相变
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职称材料
题名
ZnO基稀磁半导体材料研究进展
被引量：
3
1
作者
周勋
沈益斌
段满益
徐明
令狐荣锋
机构
贵州大学电信学院
贵州
师范
大学
理
学院
四川师范
大学
物理与电子工程
学院
&固体物理研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期106-109,共4页
基金
贵州省科学技术基金(黔科通J合[2006]2004)资助
文摘
随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。
关键词
ZNO
稀磁半导体
铁磁序
反铁磁序
电子结构
Keywords
ZnO, diluted magnetic semiconductors （DMSs）, ferromagnetic order, antiferromagnetic order,electronic structure
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
2
作者
郭祥
周勋
罗子江
王继红
周清
刘珂
丁召
机构
贵州大学电信学院
贵州
师范
大学
物理与电子科学
学院
贵州
财经
大学
教育管理
学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1266-1269,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60866001)
贵州师范大学2012博士基金项目
+3 种基金
教育部博士点基金资助项目(20105201110003)
贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号)
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号)
贵州省留学人员科技项目(Z103233)
文摘
对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表面最顶层的Asdimer也一起脱离表面，（3×1）重构表面实际上是由20％的富As（2×4）重构区域与80％的富In（4×2）重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域，使样品表面恢复N（2×4）重构相，而（2X4）蓖构相能在390～490℃温度范同内稳定存在。
关键词
扫描隧道是微镜InAs(001)
重构
不可逆相变
Keywords
STM, InAs（O01 ）, Reconstruction, Irreversible phase transition
分类号
O414.12 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO基稀磁半导体材料研究进展
周勋
沈益斌
段满益
徐明
令狐荣锋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
郭祥
周勋
罗子江
王继红
周清
刘珂
丁召
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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