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题名Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究
被引量：6
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作者
崔冬萌
贾锐
谢泉
赵珂杰
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机构
中国科学院微电子研究所
贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期907-912,共6页
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基金
国家自然科学基金(2908YB013001
110360706023)
+2 种基金
国家"973"计划(1J2009CB320300
1J2006CB604904)
吉林省自然科学基金(201115122)资助项目
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文摘
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。
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关键词
Ru2Si3
第一性原理
应力
电子结构
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Keywords
Ru2Si3
first-principles
stress
electronic structure
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分类号
O471.5
[理学—半导体物理]
O472.3
[理学—半导体物理]
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题名Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质
被引量：2
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作者
崔冬萌
贾锐
谢泉
赵珂杰
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机构
中国科学院微电子研究所
贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期960-965,共6页
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基金
国家自然科学基金(2908YB013001
110360706023)
吉林省自然科学基金(201115122)资助项目
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文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。
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关键词
掺杂Ru2Si3
电子结构
光学性质
第一性原理
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Keywords
doped Ru2Si3； electronic structure； optical properties； first principle
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分类号
O471.5
[理学—半导体物理]
O481.1
[理学—固体物理]
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