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功率VDMOS器件的研究与发展
被引量：
9
1
作者
杨法明
杨发顺
+3 位作者
张锗源
李绪诚
张荣芬
邓朝勇
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第10期623-629,673,共8页
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造...
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。
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关键词
功率器件
垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)
击穿电压
导通电阻
SIC材料
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职称材料
高压超结VDMOS结构设计
被引量：
2
2
作者
杨法明
杨发顺
+2 位作者
丁召
傅兴华
邓朝勇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期298-303,共6页
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计...
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。
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关键词
纵向双扩散金属氧化物半导体
超结
电荷平衡
正向导通
反向击穿
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职称材料
题名
功率VDMOS器件的研究与发展
被引量：
9
1
作者
杨法明
杨发顺
张锗源
李绪诚
张荣芬
邓朝勇
机构
贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第10期623-629,673,共8页
基金
贵州省科学技术基金(黔科合J字[2008]-2213
[2010]-2134)
+2 种基金
贵州省优秀青年科技人才(黔科合人字[2009]-15)
贵州省高层次人才基金(TZJF-2008-31)
贵州大学自然科学青年科研基金项目([2009]-017)
文摘
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。
关键词
功率器件
垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)
击穿电压
导通电阻
SIC材料
Keywords
power device
vertical-double-diffusion power MOSFET （VDMOS）
breakdown voltage
conduction resistance
SiC material
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高压超结VDMOS结构设计
被引量：
2
2
作者
杨法明
杨发顺
丁召
傅兴华
邓朝勇
机构
贵州大学
理学院
电子
科学
系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期298-303,共6页
基金
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2008]-2213
[2011]-2203)
+2 种基金
贵州省优秀青年科技人才(黔科合人字[2009]-15)
贵州省科技创新人才团队(黔科合人才团队[2010]4005)
贵州省高层次人才基金资助项目(TZJF-2008-31)
文摘
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。
关键词
纵向双扩散金属氧化物半导体
超结
电荷平衡
正向导通
反向击穿
Keywords
VDMOS
super-junction
charge balance
forward conduction
reverse break-down
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率VDMOS器件的研究与发展
杨法明
杨发顺
张锗源
李绪诚
张荣芬
邓朝勇
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011
9
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职称材料
2
高压超结VDMOS结构设计
杨法明
杨发顺
丁召
傅兴华
邓朝勇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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