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硅的离子束抛光技术研究
被引量:
3
1
作者
洪义麟
付绍军
+4 位作者
陶晓明
黄文浩
褚家如
L.Monica
A.M.Baro
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第6期429-431,共3页
介绍了用离子束抛光法获得硅的超光滑表面的方法,并给出了不同抛光条件下表面粗糙度的原子力显微镜(AFM)测量结果,其中最好的表面粗糙度达0.12nm(有效值)。
关键词
离子束抛光
硅
超光滑表面
硅表面
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职称材料
题名
硅的离子束抛光技术研究
被引量:
3
1
作者
洪义麟
付绍军
陶晓明
黄文浩
褚家如
L.Monica
A.M.Baro
机构
中国科技
大学
国家同步辐射实验室
中国科技
大学
精密机械
系
西班牙马德里自治大学凝聚态材料系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第6期429-431,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
介绍了用离子束抛光法获得硅的超光滑表面的方法,并给出了不同抛光条件下表面粗糙度的原子力显微镜(AFM)测量结果,其中最好的表面粗糙度达0.12nm(有效值)。
关键词
离子束抛光
硅
超光滑表面
硅表面
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅的离子束抛光技术研究
洪义麟
付绍军
陶晓明
黄文浩
褚家如
L.Monica
A.M.Baro
《真空科学与技术》
CSCD
1995
3
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