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坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制
被引量：
5
1
作者
谷智
李国强
+1 位作者
介万奇
郭平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期346-350,共5页
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制...
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。
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关键词
坩埚加速旋转-垂直下降法
晶体生长设备
研制
CDZNTE
半导体
Ⅱ-Ⅵ族化合物
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职称材料
题名
坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制
被引量：
5
1
作者
谷智
李国强
介万奇
郭平
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
西安精益晶体设备有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期346-350,共5页
文摘
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。
关键词
坩埚加速旋转-垂直下降法
晶体生长设备
研制
CDZNTE
半导体
Ⅱ-Ⅵ族化合物
Keywords
CdZnTe
ACRT-VBM
crystal growth system
分类号
O78 [理学—晶体学]
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制
谷智
李国强
介万奇
郭平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
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