-
题名6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析
- 1
-
-
作者
张娟
柴常春
杨银堂
徐俊平
-
机构
西安电子科技大学西安微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期133-136,共4页
-
基金
西安应用材料创新资助项目(XA-AM200502)
-
文摘
采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大。
-
关键词
6H-碳化硅
4H-碳化硅
功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
-
Keywords
6H-SiC
4H-SiC
power VDMOSFET
-
分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
-
