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以校企支部共建为抓手,提升新时代集成电路专业人才培养质量的路径探索--以西安电子科技大学微电子学院为例 被引量:1
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作者 陈明 郭强 《新课程教学(电子版)》 2024年第7期134-136,共3页
党建工作是高校育人工作的重要组成部分,更是基层党组织凝聚力、战斗力和吸引力的重要体现。为落实党建引领,深化校企融合,提升集成电路专业本科人才培养质量,本文以西安电子科技大学微电子学院本科教育教学师生联合党支部与创新性企业... 党建工作是高校育人工作的重要组成部分,更是基层党组织凝聚力、战斗力和吸引力的重要体现。为落实党建引领,深化校企融合,提升集成电路专业本科人才培养质量,本文以西安电子科技大学微电子学院本科教育教学师生联合党支部与创新性企业党组织结对共建为例,探索在校企产学协同育人项目申报与建设、校企联合训练项目开展、校企共办科协类俱乐部、校企共建合作课程四方面发力,着力提升集成电路专业人才培养质量的路径与方法。 展开更多
关键词 校企合作 支部共建 集成电路 人才培养
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电子信息类专业课程思政教学设计与实践 被引量:3
2
作者 李翠芸 李隐峰 +1 位作者 宋骊平 李彩彩 《工业和信息化教育》 2024年第3期44-49,共6页
深入贯彻全国高校思想政治工作会议精神,落实立德树人根本任务,是新时代高校人才培养工作的重要内容。立足电子信息专业特色,结合相关专业的人才培养要求,以“随机信号分析”和“Python网络数据处理”等必修课程为试点,深入挖掘其中蕴... 深入贯彻全国高校思想政治工作会议精神,落实立德树人根本任务,是新时代高校人才培养工作的重要内容。立足电子信息专业特色,结合相关专业的人才培养要求,以“随机信号分析”和“Python网络数据处理”等必修课程为试点,深入挖掘其中蕴含的思政元素和马克思主义理论,通过多种教学形式将价值观引导融入专业知识传授和能力培养中,在培养技能过硬、人格健全、立场坚定的电子信息专业人才方面取得了一系列有益成果。 展开更多
关键词 电子信息 课程思政 随机信号分析 Python网络数据处理 设计与实践
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单手性半导体碳纳米管的分离及其在电子学中的应用研究进展
3
作者 孙雅楠 雷毅敏 +5 位作者 祝杰杰 魏宇翔 张鹏 朱青 李培咸 马晓华 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期519-546,共28页
半导体性单壁碳纳米管(Semiconducting single-walled carbon nanotubes,s-SWCNTs)以其高载流子迁移率和弹道运输等优异的电学特性,成为后摩尔时代新型半导体材料的有力竞争者。经过20多年的发展,碳基电子技术在s-SWCNTs的材料提纯、基... 半导体性单壁碳纳米管(Semiconducting single-walled carbon nanotubes,s-SWCNTs)以其高载流子迁移率和弹道运输等优异的电学特性,成为后摩尔时代新型半导体材料的有力竞争者。经过20多年的发展,碳基电子技术在s-SWCNTs的材料提纯、基于s-SWCNTs的场效应晶体管(CNT FETs)的制备,以及基于CNT FETs的器件物理等基础问题上已经取得显著进展。然而s-SWCNTs的手性多样性引发的CNT FETs电学性能波动等问题,限制了s-SWCNTs在具有先进制程和卓越性能的高端集成电路(Integrated circuit,IC)中的应用。单手性的s-SWCNTs不仅展现出优异的电学性能,还具有可控的结构和稳定的性能,这些特性对其在高端IC中的应用至关重要。尽管如此,在提高单手性s-SWCNTs的分离纯度和产量,以及优化单手性CNT FETs方面,仍面临诸多挑战。本文综述了碳纳米管手性分选的方法,并重点讨论了共轭聚合物后处理方法的研究进展。然后总结了单手性CNT FETs的研究进展,并分析了未来的发展方向。最后对单手性s-SWCNTs的应用前景进行了展望,分析了未来将要面临的挑战和机遇。 展开更多
关键词 半导体性碳纳米管 单手性 共轭聚合物包裹 场效应晶体管
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高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真 被引量:7
4
作者 郝西伟 张冠军 +3 位作者 黄文华 秋实 陈昌华 方进勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期99-104,共6页
建立了真空中高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真模型,充分考虑了微波电磁场及介质表面静电场等影响因素。通过对不同电子出射初始角度和微波场参数(电场幅值、频率及电子出射时电场相位)对电子运动状态影响的仿真分析,得到了... 建立了真空中高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真模型,充分考虑了微波电磁场及介质表面静电场等影响因素。通过对不同电子出射初始角度和微波场参数(电场幅值、频率及电子出射时电场相位)对电子运动状态影响的仿真分析,得到了二次电子倍增过程中电子在复合场下的运动轨迹、电子重新返回介质表面的撞击能量及返回时间等状态参数,获得了电子运动状态参数随电子出射角度和微波场参数的变化规律。研究发现:电子出射角度对其运动状态有显著影响,电子存在运动轨迹最大的某一出射角度,该角度下电子拥有最大的撞击能量;微波电场幅值的增加将使电子撞击能量增加,返回时间减小,微波电场相位的变化使电子的撞击能量和返回时间呈周期振荡,这从本质上解释了电子数量在二次电子倍增过程中以微波频率两倍周期振荡的原因;随着微波频率的增加电子将由简单的类抛物线运动转变为复杂的振荡运动。 展开更多
关键词 高功率微波 介质窗 2维仿真 电子运动轨迹 撞击能量 返回时间
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模糊神经网络在电子器件微波易损性评估中的应用 被引量:13
5
作者 韩峰 王建国 焦李成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期909-914,共6页
 应用模糊神经网络预测了电子器件失效阈值随高功率微波参数的变化关系。结合电子器件实验数据较少的情况,提出用可能性理论估计器件失效可能性分布的评估方法;结合模糊神经网络的学习预测能力,得到电子器件失效的可能性分布;并将可能...  应用模糊神经网络预测了电子器件失效阈值随高功率微波参数的变化关系。结合电子器件实验数据较少的情况,提出用可能性理论估计器件失效可能性分布的评估方法;结合模糊神经网络的学习预测能力,得到电子器件失效的可能性分布;并将可能性分布和用信息扩散估计方法得到的概率分布进行了比较,前者能够更好地利用实验数据估计器件失效的可能性。 展开更多
关键词 模糊神经网络 高功率微波 可能性理论 易损性评估
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掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究 被引量:9
6
作者 宋久旭 杨银堂 +2 位作者 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-91,共5页
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超... 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 展开更多
关键词 掺氮 3C—SiC 电子结构 第一性原理计算
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型 被引量:4
7
作者 杨燕 王平 +2 位作者 郝跃 张进城 李培咸 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的... 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 . 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻
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电子器件可靠性的噪声表征方法 被引量:14
8
作者 庄奕琪 孙青 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期76-82,共7页
随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展,传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明,对于大多数电子器件,噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,噪声检测方法以其灵敏、普适、... 随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展,传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明,对于大多数电子器件,噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点,正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具。本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。 展开更多
关键词 电子器件 噪声 可靠性 缺陷
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基于Web电子作业提交系统设计 被引量:5
9
作者 杨璐 李隐峰 闫蕾 《电子科技》 2012年第7期53-54,57,共3页
传统的作业提交方式,已无法满足师生对信息快速、准确处理的要求。如何提高教学资源的利用效率、减轻教师教学工作压力,成为该系统要解决的问题。在线作业提交是校园信息化的组成内容,也是学校教学和管理逐步走向信息化和网络化的趋势... 传统的作业提交方式,已无法满足师生对信息快速、准确处理的要求。如何提高教学资源的利用效率、减轻教师教学工作压力,成为该系统要解决的问题。在线作业提交是校园信息化的组成内容,也是学校教学和管理逐步走向信息化和网络化的趋势。文中以IIS+PHP+MySQL为平台的B/S架构在线作业提交系统为例,介绍了有关的技术关键点和解决方法。该系统加强了师生的交流、提升了教学效率。 展开更多
关键词 WEB 作业提交系统 PHP B/S架构 数据库
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电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析 被引量:7
10
作者 庄奕琪 孙青 侯询 《计量学报》 CSCD 1996年第2期136-141,共6页
本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。
关键词 低频噪声 电子器件 技术分析
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电子系统抗干扰性能测度 被引量:5
11
作者 保铮 谢维信 游余立 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期70-78,共9页
本文对电子系统抗干扰能力的测度进行了研究,提出了干扰环境中电子系统有效工作概率的概念,在此概念的基础上获得了有效抗干扰改善因子和受欺骗概率两个测度的统一。我们以跟踪雷达系统为例,给出了抗干扰性能测度的分析方法。最后,本文... 本文对电子系统抗干扰能力的测度进行了研究,提出了干扰环境中电子系统有效工作概率的概念,在此概念的基础上获得了有效抗干扰改善因子和受欺骗概率两个测度的统一。我们以跟踪雷达系统为例,给出了抗干扰性能测度的分析方法。最后,本文对一组国内外雷达的抗干扰性能作出了比较。 展开更多
关键词 电子系统 抗干扰 性能 雷达系统
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内置PCB板电路的电子设备的屏效研究 被引量:10
12
作者 姚建明 吴建汪 +1 位作者 谢拥军 史小卫 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第B04期31-34,共4页
本文应用有限元方法(FEM),分析了内置PCB板的屏蔽机箱的孔缝电磁耦合规律,并进一步研究了电磁干扰信号与机箱内的PCB板电路作用而产生的感应电流的变化情况。
关键词 电磁干扰 孔缝耦合
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石墨烯/碳纳米管三维结构的电子输运特性 被引量:5
13
作者 娄利飞 潘青彪 +1 位作者 张军琴 周晓乐 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期85-89,共5页
根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构... 根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构的透射图谱和电子态密度谱线进行了仿真分析.研究结果可为基于碳纳米材料三维互连线结构的相关研究提供参考. 展开更多
关键词 石墨烯 碳纳米管 三维互连线 电子输运特性
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AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展 被引量:4
14
作者 张金凤 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期326-330,共5页
AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖... AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖关系,以及两者内在矛盾等方面的研究现状,指出了该领域内仍需深入研究的问题,如面电子密度的温度特性、迁移率随合金层的变化关系以及迁移率随面电子密度的变化关系等. 展开更多
关键词 A1GaN/GaN异质结 二维电子气 面电子密度 迁移率 电荷控制
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方舱及装舱电子设备在道路谱随机激励下的响应预测 被引量:4
15
作者 贾建援 仇原鹰 袁志刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期52-57,共6页
基于线性系统平稳随机振动理论,该文预测了多自由度大型复杂方舱结构在道路谱激励下的响应,导出了结构在一种宽带位移谱激励下动力响应的解析积分表达式.该文预测的数值结果对某电子方舱的工程设计具有重要参考价值.
关键词 随机振动 道路谱 方舱结构 电子设备
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量:2
16
作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点,在反应离子刻蚀(RIE)、等离子体化学气相淀积(CVD)和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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6H-SiC反型层电子库仑散射 被引量:2
17
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期154-157,共4页
提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型 ,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性 .对6H SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟 ,模拟结果和实验值相符 .模拟结果表明 ,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强 。
关键词 碳化硅 6H-SIC 反型层迁移率 库仑散射
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 被引量:1
18
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +6 位作者 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2056-2058,共3页
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分... 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 展开更多
关键词 应变硅 调制掺杂 电子面密度 阈值电压
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6H-SiC反型层电子迁移率的Monte Carlo模拟 被引量:2
19
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期157-159,共3页
用单电子MonteCarlo方法对 6H SiC反型层的电子迁移率进行了模拟 ,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型 ,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性 .MonteCarlo模拟的结果表明 ,当... 用单电子MonteCarlo方法对 6H SiC反型层的电子迁移率进行了模拟 ,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型 ,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性 .MonteCarlo模拟的结果表明 ,当表面有效横向电场高于 1.5× 10 5V/cm时 ,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用 ,而当有效横向电场小于该值时 ,沟道散射以库仑散射为主 . 展开更多
关键词 电子迁移率 蒙特卡洛模拟 碳化硅
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应变Si1-xGex(100)电子散射几率 被引量:2
20
作者 赵丽霞 张鹤鸣 +1 位作者 宣荣喜 胡辉勇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期86-89,105,共5页
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2... 基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关. 展开更多
关键词 应变Si1-xGex 电子 散射
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