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PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究 被引量:6
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作者 娄利飞 杨银堂 +2 位作者 柴常春 高峰 唐重林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页
采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐... 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。 展开更多
关键词 铁电材料 电滞回线 总剂量辐照效应 抗辐照
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PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究 被引量:4
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作者 娄利飞 高峰 +2 位作者 杨银堂 唐重林 柴常春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期585-587,共3页
采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电... 采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。 展开更多
关键词 压电材料 压电常数 介电常数 总剂量辐照效应
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氮化镓干法刻蚀研究进展 被引量:1
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作者 王冲 郝跃 +1 位作者 冯倩 郭亮良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期409-413,共5页
对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min... 对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。 展开更多
关键词 氮化镓 下法刻蚀 等离子体 刻蚀损伤
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低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究 被引量:1
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作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期355-357,377,共4页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF2=CF (1780 cm-1)结构.C1s峰高斯解叠后结合态与结合能对应关系为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1~3)(287 eV),以及位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C结合态(285 eV).位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构热稳定性较差,退火后容易生成气态挥发物并导致a-C:F薄膜厚度减小.当C-CFx交联结构增多,且位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构减少时,a-C:F薄膜热稳定性提高. 展开更多
关键词 A-C:F 化学气相沉积 热稳定性 XPS
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Ansys在PZT压电薄膜微传感器压电分析中的应用 被引量:12
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作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 张军琴 李跃进 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2005年第7期875-878,共4页
研究的PZT压电薄膜微传感器采用的弹性敏感元件为微悬臂梁结构,在压电原理和材料力学理论的基础上,采用简化的等效微器件结构建立了数学分析模型,将有限元方法发展应用于压电材料的结构分析中,并运用有限元软件Ansys7.0对PZT压电薄膜微... 研究的PZT压电薄膜微传感器采用的弹性敏感元件为微悬臂梁结构,在压电原理和材料力学理论的基础上,采用简化的等效微器件结构建立了数学分析模型,将有限元方法发展应用于压电材料的结构分析中,并运用有限元软件Ansys7.0对PZT压电薄膜微悬臂梁结构的传感性能和线性度进行了模拟,同时分析了微悬臂梁结构的几何参数对输出电压的影响,这些分析结果和解析预测是一致的。 展开更多
关键词 微传感器 有限元法 压电分析
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硅基PZT压电驱动微开关的设计和优化 被引量:2
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作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 李跃进 张军琴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第4期445-448,共4页
采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析... 采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析,探讨了结构参数与微悬臂梁运动特性的关系及影响压电薄膜微开关性能的因素,进一步模拟了0.3 V工作电压下微开关的位移。结果表明,经优化后的压电薄膜微开关可进一步应用到集成化芯片系统中。 展开更多
关键词 压电薄膜 有限元分析 微开关
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GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响 被引量:1
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作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期33-36,共4页
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级... 在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷. 展开更多
关键词 红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱
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氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响 被引量:1
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作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1081-1083,共3页
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究。X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,... 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究。X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CR(x=1~3)交联结构增多。电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π^*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大。 展开更多
关键词 A-C:F 退火 化学结构 电学性能 XPS
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AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计 被引量:2
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作者 林锡贵 郝跃 +1 位作者 冯倩 张进城 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期52-55,共4页
在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反... 在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz~8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小。 展开更多
关键词 高电子迁移率场效应晶体管 功率放大器 ADS负载牵引 共轭匹配
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