1
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集成化单电子器件研究进展 |
杨银堂
王帆
朱樟明
翟艳
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《电子器件》
CAS
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2004 |
1
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2
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衬底热电子增强的薄SiO_2层击穿特性研究 |
刘红侠
郝跃
黄涛
方建平
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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3
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电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析 |
庄奕琪
孙青
侯询
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《计量学报》
CSCD
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1996 |
7
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4
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铟量子点实现单电子晶体管方法 |
郭荣辉
赵正平
郝跃
刘玉贵
武一斌
吕苗
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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5
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n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型 |
王平
杨银堂
屈汉章
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
1
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6
|
薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型 |
刘红侠
郝跃
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
0 |
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7
|
SiC/Si异质生长的研究 |
朱作云
李跃进
杨银堂
贾护军
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
7
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8
|
高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 |
刘坚斌
李培咸
郝跃
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《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
24
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9
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多芯片组件热分析技术研究 |
杨桂杰
杨银堂
李跃进
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2003 |
23
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10
|
CMOS斩波稳定放大器的分析与研究 |
杨银堂
贺斌
朱樟明
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《电子器件》
EI
CAS
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2005 |
14
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11
|
PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究 |
娄利飞
杨银堂
柴常春
高峰
唐重林
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
6
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12
|
高温SiC MESFET特性模拟研究 |
吕红亮
张义门
张玉明
何光
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
5
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13
|
基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究 |
包军林
庄奕琪
杜磊
李伟华
马仲发
万长兴
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《电子器件》
EI
CAS
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2006 |
6
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14
|
FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 |
罗宏伟
杨银堂
朱樟明
解斌
王金延
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
3
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15
|
6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究 |
尚也淳
张义门
张玉明
刘忠立
|
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
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2003 |
4
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16
|
VLSI集成电路参数成品率及优化研究进展 |
郝跃
荆明娥
马佩军
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2003 |
8
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17
|
PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究 |
娄利飞
高峰
杨银堂
唐重林
柴常春
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《压电与声光》
CSCD
北大核心
|
2008 |
4
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18
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GaN基蓝色LED的研究进展 |
段猛
郝跃
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2003 |
10
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19
|
低k层间介质研究进展 |
苏祥林
吴振宇
汪家友
杨银堂
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《微纳电子技术》
CAS
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2005 |
7
|
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20
|
GaN基微波半导体器件研究进展 |
杨燕
郝跃
张进城
李培咸
|
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
4
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