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2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
1
作者 王平 杨银堂 +2 位作者 崔占东 杨燕 付俊兴 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期541-544,548,共5页
目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都... 目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论　可以被用来设计SiC器件和电路。 展开更多
关键词 2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 迁移率 漂移速度 平均能量
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衬底热电子增强的薄SiO_2层击穿特性研究
2
作者 刘红侠 郝跃 +1 位作者 黄涛 方建平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1468-1470,共3页
本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能... 本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F N隧穿注入的根本不同 .本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型 . 展开更多
关键词 集成电路 衬底热电子增强 击穿电荷 二氧化硅
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电子回旋共振CF_4+O_2等离子体中Si_3N_4刻蚀工艺研究
3
作者 徐新艳 汪家友 +3 位作者 杨银堂 付俊兴 柴常春 王平 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期425-428,共4页
在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增... 在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。 展开更多
关键词 电子回旋共振 刻蚀工艺 等离子体 SI3N4 ECR 可靠性 微电子技术
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基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统 被引量：23
4
作者 包军林 庄奕琪 +1 位作者 杜磊 李伟华 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期351-353,356,共4页
低频噪声已经作为一个重要的参量用于军用电子元器件的可靠性筛选和评估。介绍了一种基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统。与传统以通用仪器组建的噪声测试系统相比,不仅成本低,而且实现了电子器件低频噪声的实时、快速测量,... 低频噪声已经作为一个重要的参量用于军用电子元器件的可靠性筛选和评估。介绍了一种基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统。与传统以通用仪器组建的噪声测试系统相比,不仅成本低,而且实现了电子器件低频噪声的实时、快速测量,并可对其各个表征参量进行准确的分析和提取。 展开更多
关键词 低频噪声 虚拟仪器 可靠性筛选
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5
5
作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场
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电子回旋共振等离子体源的朗谬尔探针诊断 被引量：5
6
作者 吴振宇 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期71-73,共3页
电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ... 电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ,电子密度和等离子体电势等参量。实验证明 ,ECR等离子体源能够稳定地产生电子温度较低的高密度等离子体。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体源 ECR 朗谬尔探针 等离子体诊断 饱和电流
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电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析 被引量：7
7
作者 庄奕琪 孙青 侯询 《计量学报》 CSCD 1996年第2期136-141,共6页
本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。
关键词 低频噪声 电子器件 技术分析
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铟量子点实现单电子晶体管方法 被引量：1
8
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 郝跃 刘玉贵 武一斌 吕苗 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期186-189,共4页
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 量子点
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n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型 被引量：1
9
作者 王平 杨银堂 屈汉章 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期538-542,584,共6页
采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温... 采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大. 展开更多
关键词 4H—SiC 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 中性杂质散射 补偿率
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薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型
10
作者 刘红侠 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期610-613,共4页
氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提... 氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据． 展开更多
关键词 电子陷阱 击穿机理 薄栅介质 物理模型 集成电路
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硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究 被引量：10
11
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 朱作云 李跃进 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期131-136,共6页
采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同... 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降． 展开更多
关键词 外延生长 SIC薄膜 淀积温度 结晶度 硅基
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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究 被引量：8
12
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期857-860,共4页
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪... 对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射. 展开更多
关键词 1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级
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SiC/Si异质生长的研究 被引量：7
13
作者 朱作云 李跃进 +1 位作者 杨银堂 贾护军 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期122-125,共4页
在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技... 在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜。 展开更多
关键词 APCVD 异质外延 缓冲层 半导体材料 碳化硅
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高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 被引量：24
14
作者 刘坚斌 李培咸 郝跃 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期673-679,共7页
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要... GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要着重解决的问题。 展开更多
关键词 光电子学 半导体材料 GaN:蓝光LED:白光LED
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PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究 被引量：6
15
作者 娄利飞 杨银堂 +2 位作者 柴常春 高峰 唐重林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页
采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐... 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。 展开更多
关键词 铁电材料 电滞回线 总剂量辐照效应 抗辐照
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高温SiC MESFET特性模拟研究 被引量：5
16
作者 吕红亮 张义门 +1 位作者 张玉明 何光 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期776-780,共5页
在建立SiC材料和器件的有关模型基础上 ,运用二维器件模拟器MEDICI在 2 0 0～ 70 0K温度范围内 ,对 4H SiCMESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析 .将模拟所得到的高温特性典型参数与实验值进行比较分析 ,得到较满意的结果 .
关键词 碳化硅 MESFET 交流小信号特性 二维模拟 场效应晶体管
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APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 被引量：3
17
作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期832-836,共5页
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多
关键词 APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率
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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量：3
18
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 FLOTOX结构 EEPROM 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究 被引量：4
19
作者 尚也淳 张义门 +1 位作者 张玉明 刘忠立 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期389-394,共6页
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具... 对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。 展开更多
关键词 6H-SIC MOS结构 电特性 辐照效应 平带电压 退火 漏电流
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SiC衬底上异质外延GaN薄膜XPS谱和PL谱研究 被引量：5
20
作者 冯倩 段猛 郝跃 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1510-1513,共4页
利用X射线光电子能谱 ,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试 ,同时用光致发光技术对样品进行发光特性的研究 结果表明 ,随着GaN薄膜中Ga百分含量逐渐减小 ,室温下黄光输出峰值强度却逐渐增加 因此 ,在G... 利用X射线光电子能谱 ,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试 ,同时用光致发光技术对样品进行发光特性的研究 结果表明 ,随着GaN薄膜中Ga百分含量逐渐减小 ,室温下黄光输出峰值强度却逐渐增加 因此 ,在Ga含量相对低的GaN薄膜中容易形成Ga空位 (即Ga空位浓度较高 ) ,而此时 ,黄光辐射强度单调递增证明 。 展开更多
关键词 氮化镓晶体 碳化硅衬底 异质外延 X射线光电子能谱 光致发光 半导体材料 光电子器件
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