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集成化单电子器件研究进展 被引量:1
1
作者 杨银堂 王帆 +1 位作者 朱樟明 翟艳 《电子器件》 CAS 2004年第4期772-776,共5页
传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面... 传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用 。 展开更多
关键词 单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计
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衬底热电子增强的薄SiO_2层击穿特性研究
2
作者 刘红侠 郝跃 +1 位作者 黄涛 方建平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1468-1470,共3页
本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能... 本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F N隧穿注入的根本不同 .本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型 . 展开更多
关键词 集成电路 衬底热电子增强 击穿电荷 二氧化硅
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电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析 被引量:7
3
作者 庄奕琪 孙青 侯询 《计量学报》 CSCD 1996年第2期136-141,共6页
本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。
关键词 低频噪声 电子器件 技术分析
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铟量子点实现单电子晶体管方法 被引量:1
4
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 郝跃 刘玉贵 武一斌 吕苗 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期186-189,共4页
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 量子点
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n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型 被引量:1
5
作者 王平 杨银堂 屈汉章 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期538-542,584,共6页
采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温... 采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大. 展开更多
关键词 4H—SiC 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 中性杂质散射 补偿率
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薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型
6
作者 刘红侠 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期610-613,共4页
氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题.从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理,给出了相关的物理模型,同时指出了一些物理模型中存在的问题,为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提... 氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题.从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理,给出了相关的物理模型,同时指出了一些物理模型中存在的问题,为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据. 展开更多
关键词 电子陷阱 击穿机理 薄栅介质 物理模型 集成电路
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SiC/Si异质生长的研究 被引量:7
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作者 朱作云 李跃进 +1 位作者 杨银堂 贾护军 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期122-125,共4页
在半导体材料中,SiC比Si具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性,在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景.但是它的材料制备很困难.文中在理论分析基础上,以Si为衬底,用常压化学气相淀积(APCVD)技... 在半导体材料中,SiC比Si具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性,在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景.但是它的材料制备很困难.文中在理论分析基础上,以Si为衬底,用常压化学气相淀积(APCVD)技术,在温度为1100℃下,生长出SiC多晶薄膜。 展开更多
关键词 APCVD 异质外延 缓冲层 半导体材料 碳化硅
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高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 被引量:24
8
作者 刘坚斌 李培咸 郝跃 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期673-679,共7页
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要... GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要着重解决的问题。 展开更多
关键词 光电子学 半导体材料 GaN:蓝光LED:白光LED
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多芯片组件热分析技术研究 被引量:23
9
作者 杨桂杰 杨银堂 李跃进 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第7期78-80,共3页
多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高,MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理,比较了MCM热场计算的方法和特点,研究了有限元分析的方法... 多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高,MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理,比较了MCM热场计算的方法和特点,研究了有限元分析的方法和求解过程,进行了实际计算,并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。 展开更多
关键词 单片集成电路 多芯片组件 热分析技术 可靠性
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CMOS斩波稳定放大器的分析与研究 被引量:14
10
作者 杨银堂 贺斌 朱樟明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期167-171,共5页
对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调... 对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调电压的方法,总结了斩波稳定放大器最近的一些研究发现及其在一些新型产品中的应用,并归纳了斩波稳定技术的优缺点和应用范围。 展开更多
关键词 斩波稳定 放大器 低噪声 残余失调 CMOS
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PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究 被引量:6
11
作者 娄利飞 杨银堂 +2 位作者 柴常春 高峰 唐重林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页
采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐... 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。 展开更多
关键词 铁电材料 电滞回线 总剂量辐照效应 抗辐照
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高温SiC MESFET特性模拟研究 被引量:5
12
作者 吕红亮 张义门 +1 位作者 张玉明 何光 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期776-780,共5页
在建立SiC材料和器件的有关模型基础上 ,运用二维器件模拟器MEDICI在 2 0 0~ 70 0K温度范围内 ,对 4H SiCMESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析 .将模拟所得到的高温特性典型参数与实验值进行比较分析 ,得到较满意的结果 .
关键词 碳化硅 MESFET 交流小信号特性 二维模拟 场效应晶体管
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基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究 被引量:6
13
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 李伟华 马仲发 万长兴 《电子器件》 EI CAS 2006年第2期369-372,共4页
传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的... 传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的1/f噪声幅值比传统的测试方法低2个数量,以小波理论构建的两个参量更深入细微地表征了1/f噪声特性:模极大值分布能够鉴别不同类型的1/f噪声产生机构,相似系数可描述应力对器件1/f噪声的影响。 展开更多
关键词 小波分析 虚拟仪器 1/f噪声 模极大值 相似系数
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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量:3
14
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 FLOTOX结构 EEPROM 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究 被引量:4
15
作者 尚也淳 张义门 +1 位作者 张玉明 刘忠立 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期389-394,共6页
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具... 对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。 展开更多
关键词 6H-SIC MOS结构 电特性 辐照效应 平带电压 退火 漏电流
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VLSI集成电路参数成品率及优化研究进展 被引量:8
16
作者 郝跃 荆明娥 马佩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期1971-1974,共4页
VLSI的参数成品率是与制造成本和电路特性紧密相关的一个重要因素 ,随着集成电路 (IC)进入超深亚微米发展阶段 ,芯片工作速度不断增加 ,集成度和复杂度提高 ,而工艺容差减小的速度跟不上这种变化 ,因此参数成品率的研究越来越重要 .本... VLSI的参数成品率是与制造成本和电路特性紧密相关的一个重要因素 ,随着集成电路 (IC)进入超深亚微米发展阶段 ,芯片工作速度不断增加 ,集成度和复杂度提高 ,而工艺容差减小的速度跟不上这种变化 ,因此参数成品率的研究越来越重要 .本文系统地讨论了参数成品率的模型和设计技术研究进展 ,分析不同技术的特点和局限性 .最后提出了超深亚微米 (VDSM) 展开更多
关键词 VLSI设计方法学 参数成品率 最优化设计
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PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究 被引量:4
17
作者 娄利飞 高峰 +2 位作者 杨银堂 唐重林 柴常春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期585-587,共3页
采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电... 采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。 展开更多
关键词 压电材料 压电常数 介电常数 总剂量辐照效应
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GaN基蓝色LED的研究进展 被引量:10
18
作者 段猛 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-65,共6页
介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱... 介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望. 展开更多
关键词 GAN 蓝光LED 发展进程 蓝发发光二极管 氮化镓
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低k层间介质研究进展 被引量:7
19
作者 苏祥林 吴振宇 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期463-468,共6页
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
关键词 低K介质 互连 超大规模集成电路
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GaN基微波半导体器件研究进展 被引量:4
20
作者 杨燕 郝跃 +1 位作者 张进城 李培咸 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期367-372,421,共7页
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体... GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势. 展开更多
关键词 GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管
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