期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文)
被引量：
1
1
作者
常远程
张义门
+2 位作者
张玉明
王超
曹全君
《电子器件》
CAS
2007年第1期49-53,共5页
本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参...
本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参数的计算值与实际测量值进行了比较．实验结果表明此方法简单易行。较为精确．
展开更多
关键词
ALGAN/GAN
HEMTS
小信号
参数提取
在线阅读
下载PDF
职称材料
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
2
作者
常远程
张义门
+2 位作者
张玉明
曹全君
王超
《电子器件》
CAS
2007年第2期353-355,共3页
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏...
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系.
展开更多
关键词
器件模拟
大信号模型
ALGAN/GANHEMT
I-V特性
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文)
被引量：
1
1
作者
常远程
张义门
张玉明
王超
曹全君
机构
西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2007年第1期49-53,共5页
基金
国家基础科研项目(2002CB311904)
文摘
本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参数的计算值与实际测量值进行了比较．实验结果表明此方法简单易行。较为精确．
关键词
ALGAN/GAN
HEMTS
小信号
参数提取
Keywords
AlGaN/GaN HEMTs
small signal
parameter extraction
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
2
作者
常远程
张义门
张玉明
曹全君
王超
机构
西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2007年第2期353-355,共3页
基金
国家基础项目资助(2002CB311904)
文摘
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系.
关键词
器件模拟
大信号模型
ALGAN/GANHEMT
I-V特性
Keywords
device simulation
large signal model
AlGaN/GaN HEMTs
I-V characteristics
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文)
常远程
张义门
张玉明
王超
曹全君
《电子器件》
CAS
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
常远程
张义门
张玉明
曹全君
王超
《电子器件》
CAS
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
