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具有高线性调谐特性的1.2GHz CMOS频率综合器
被引量：
4
1
作者
李振荣
庄奕琪
龙强
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期853-858,共6页
基于0．18μmRF CMOS工艺实现了一个1．2GHz高线性低噪声正交输出频率综合器，该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪LC压控振荡器；降低了系统对锁相环中其他模块的要求；基于源板耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高...
基于0．18μmRF CMOS工艺实现了一个1．2GHz高线性低噪声正交输出频率综合器，该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪LC压控振荡器；降低了系统对锁相环中其他模块的要求；基于源板耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频，采用“与非”触发器结构实现了高速双模预分频，并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵，获得了良好的频率综合器环路性能．对于1．21GHz的本振信号，在100kHz和1MHz频偏处的相位噪声分别为-99．1dBc／Hz和－123．48dBc／Hz．该频率综合器具有从1．13～1．33GHz的输出频率范围。工作电压1．8V时，芯片整体功耗20．4mW，芯片面积（1．5×1．25）mm^2。
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关键词
频率综合器
相位噪声
锁相环
正交输出
压控振荡器
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职称材料
题名
具有高线性调谐特性的1.2GHz CMOS频率综合器
被引量：
4
1
作者
李振荣
庄奕琪
龙强
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带重点实验室
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期853-858,共6页
基金
国家自然科学基金(61076101)
中央高校基本科研业务费专项资金(K50511250005)
文摘
基于0．18μmRF CMOS工艺实现了一个1．2GHz高线性低噪声正交输出频率综合器，该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪LC压控振荡器；降低了系统对锁相环中其他模块的要求；基于源板耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频，采用“与非”触发器结构实现了高速双模预分频，并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵，获得了良好的频率综合器环路性能．对于1．21GHz的本振信号，在100kHz和1MHz频偏处的相位噪声分别为-99．1dBc／Hz和－123．48dBc／Hz．该频率综合器具有从1．13～1．33GHz的输出频率范围。工作电压1．8V时，芯片整体功耗20．4mW，芯片面积（1．5×1．25）mm^2。
关键词
频率综合器
相位噪声
锁相环
正交输出
压控振荡器
Keywords
frequency synthesizer
phase noise
PLL
quadrature output
voltage-controlled oscillator
分类号
TN75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有高线性调谐特性的1.2GHz CMOS频率综合器
李振荣
庄奕琪
龙强
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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