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一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
被引量：
3
1
作者
戴瀚斌
张玉明
+1 位作者
张义门
郭辉
《现代电子技术》
2008年第1期140-143,共4页
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿...
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。
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关键词
CMOS模拟乘法器
GILBERT单元
有源衰减器
宽输入范围
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职称材料
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量：
7
2
作者
张林
张义门
+3 位作者
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源...
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
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关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
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职称材料
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
3
作者
吕红亮
张义门
+3 位作者
张玉明
车勇
王悦湖
邵科
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期933-936,共4页
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既...
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
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关键词
碳化硅
MESFET
深能级陷阱
频率特性
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职称材料
题名
一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
被引量：
3
1
作者
戴瀚斌
张玉明
张义门
郭辉
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室
出处
《现代电子技术》
2008年第1期140-143,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60376001)
教育部重点项目(106150)
文摘
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。
关键词
CMOS模拟乘法器
GILBERT单元
有源衰减器
宽输入范围
Keywords
CMOS analog multiplier
Gilbert cell
active attenuator
wide input range
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量：
7
2
作者
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
机构
西安电子科技大学
微电子
学院
教育部
宽
禁
带
半导体
材料
重点
实验室
西安
武警工程
学院
通信系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题(60606022)
国防科技基础研究基金资助课题(513110501)
文摘
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
Keywords
4H-SiC
Schottky diode
γ-ray
Detector
Numerical simulation
Sensitivity
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
3
作者
吕红亮
张义门
张玉明
车勇
王悦湖
邵科
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室
武警工程
学院
军械运输系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期933-936,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60606022)
国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101)
文摘
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
关键词
碳化硅
MESFET
深能级陷阱
频率特性
Keywords
silicon carbide
MESFET
deep level Imp
frequency characteristics
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计
戴瀚斌
张玉明
张义门
郭辉
《现代电子技术》
2008
3
在线阅读
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职称材料
2
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
吕红亮
张义门
张玉明
车勇
王悦湖
邵科
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
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职称材料
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