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4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量：
7
1
作者
张林
张义门
+3 位作者
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源...
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
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关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
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职称材料
题名
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量：
7
1
作者
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室
西安
武警工程
学院
通信系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题(60606022)
国防科技基础研究基金资助课题(513110501)
文摘
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
Keywords
4H-SiC
Schottky diode
γ-ray
Detector
Numerical simulation
Sensitivity
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
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引证文献
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