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化学气相沉积法生长石墨烯的研究
被引量：
12
1
作者
史永贵
王东
+3 位作者
张进成
张鹏
史学芳
郝跃
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1620-1625,共6页
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔...
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度。因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要。而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯。
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关键词
石墨烯
化学气相沉积
表面粗糙度
生长温度
冷却速率
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职称材料
题名
化学气相沉积法生长石墨烯的研究
被引量：
12
1
作者
史永贵
王东
张进成
张鹏
史学芳
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1620-1625,共6页
基金
国家博士后科学基金(2012M521743)
陕西省自然科学基础研究计划(2012JM8009)
文摘
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度。因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要。而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯。
关键词
石墨烯
化学气相沉积
表面粗糙度
生长温度
冷却速率
Keywords
graphene
chemical vapor deposition
surface roughness
growth temperature
cooling rate
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学气相沉积法生长石墨烯的研究
史永贵
王东
张进成
张鹏
史学芳
郝跃
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
12
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