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大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律
被引量：
2
1
作者
王新强
黎大兵
+2 位作者
刘斌
孙钱
张进成
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期1305-1309,共5页
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界...
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。
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关键词
氮化镓
大失配
强极化
生长动力学
载流子调控
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职称材料
题名
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律
被引量：
2
1
作者
王新强
黎大兵
刘斌
孙钱
张进成
机构
北京
大学
物理
学院
人工微结构和介观物理国家
重点
实验室
发光学及应用国家
重点
实验室
中国科
学院
长春光学精密机械与物理研究所
南京
大学
电子科
学与工程
学院
江苏省光电信息功能材料
重点
实验室
中国科
学院
苏州纳米
技术
与纳米仿生研究所纳米器件与应用
重点
实验室
西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期1305-1309,共5页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0400100)资助项目
文摘
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。
关键词
氮化镓
大失配
强极化
生长动力学
载流子调控
Keywords
GaN
large mismatch
strong polarization
growth dynamics
carrier control
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
O552.6 [理学—热学与物质分子运动论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律
王新强
黎大兵
刘斌
孙钱
张进成
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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