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1 MHz～40 GHz超宽带分布式低噪声放大器设计
被引量：
1
1
作者
闵丹
马晓华
+1 位作者
刘果果
王语晨
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期590-594,622,共6页
为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8...
为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm。电磁场仿真结果表明,1 MHz^40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB。渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性。
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关键词
低噪声放大器(LNA)
超宽带
均匀分布式LNA
渐变分布式LNA
GaAs
PHEMT
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职称材料
题名
1 MHz～40 GHz超宽带分布式低噪声放大器设计
被引量：
1
1
作者
闵丹
马晓华
刘果果
王语晨
机构
西安电子科技大学
先进材料与纳米
科技
学院
西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
中国科
学院
微电子
研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期590-594,622,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61631021)
文摘
为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm。电磁场仿真结果表明,1 MHz^40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB。渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性。
关键词
低噪声放大器(LNA)
超宽带
均匀分布式LNA
渐变分布式LNA
GaAs
PHEMT
Keywords
low noise amplifier(LNA)
ultra-wideband
uniform distributed LNA
tapered distri-buted LNA
GaAs PHEMT
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1 MHz～40 GHz超宽带分布式低噪声放大器设计
闵丹
马晓华
刘果果
王语晨
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
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