期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响
被引量：
1
1
作者
乔丽萍
王聪华
+3 位作者
李淑萍
李丽
俞丽娟
何磊
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第1期9-12,共4页
由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分...
由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。
展开更多
关键词
应变张量
简并度
晶向
张应力
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响
被引量：
1
1
作者
乔丽萍
王聪华
李淑萍
李丽
俞丽娟
何磊
机构
西藏民族
学院
信息工程
学院
西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第1期9-12,共4页
基金
国家自然科学基金面上项目(61162025)
西藏民族学院青年学人培育计划项目(13myQP08)
+1 种基金
重大项目培育计划项目(12myZP02)
重点项目(11myZ04)
文摘
由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。
关键词
应变张量
简并度
晶向
张应力
Keywords
strain tensor
degeneracy
crystal direction
tensile stress
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响
乔丽萍
王聪华
李淑萍
李丽
俞丽娟
何磊
《电子器件》
CAS
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
