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用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化
被引量:
3
1
作者
娄利飞
杨银堂
李跃进
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第4期453-455,共3页
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL...
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。
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关键词
锆钛酸铅(PZT)
压电薄膜
微传感器
湿法化学刻蚀
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职称材料
题名
用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化
被引量:
3
1
作者
娄利飞
杨银堂
李跃进
机构
西安电子科技大学微电子学所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第4期453-455,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(90207022)
武器装备预研基金资助项目(51411040105DZ0141)
文摘
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。
关键词
锆钛酸铅(PZT)
压电薄膜
微传感器
湿法化学刻蚀
Keywords
lead zirconate titanate (PZT)
piezoelectric thin film
micro-sensor
wet chemical etching
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化
娄利飞
杨银堂
李跃进
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008
3
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