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题名满足链路时序的RFID低功耗基带处理器
被引量：2
- 1
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作者
靳钊
庄奕琪
乔丽萍
刘伟峰
肖磊
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室
西藏民族学院信息工程学院
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2011年第4期355-359,共5页
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基金
国家预研项目(编号:51308020414)资助项目
"863"国家重点基金项目(编号:2003AAlZl410)资助项目
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文摘
提出了一种满足EPCglobal Gen2协议对链路时序规定的射频识别(RFID)标签芯片低功耗数字基带处理器的设计。该设计将全局时钟设定为反向散射频率(BLF)的二倍频率2BLF,建立基带数据处理时间和BLF的关系;并采用门控时钟、行波计数器及状态编码等技术降低基带处理器功耗。该芯片经TSMC 0.18μm RF工艺流片验证,实测结果表明,提出的基带处理器完全满足协议中关于链路时序的要求,功耗降低了22.46%,面积减少了18.03%,标签识别速率最高为96.3次/s,识别距离可达6.8 m。
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关键词
射频识别
基带处理器
低功耗
链路时序
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Keywords
RFID
baseband processor
low-power
link timing
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分类号
TP302.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名按比例缩小器件栅隧穿电流分析模型
- 2
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作者
吴铁峰
张鹤鸣
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室
佳木斯大学信息电子技术学院
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出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
2010年第5期569-573,共5页
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基金
国家部委基金资助项目(9140C0905040706)
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文摘
为了揭示半导体器件的栅隧穿电流与氧化层厚度之间的关系和MOS器件的静态特性,提出了一个栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论计算模型.采用SiO2作为绝缘层介质并将晶体管尺寸按比例缩小,对于具有超薄氧化层的MOS器件,使用双重积分的方法构造计算模型,利用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细研究,定量分析了MOS器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下按比例缩小晶体管的特性变化趋势.利用BSIM4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合,为将来的电路设计提供了理论和实验依据.
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关键词
半导体器件
栅隧穿电流
氧化层厚度
双重积分
按比例缩小
静态特性
器件仿真
理论模型
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Keywords
semiconductor device
gate tunneling current
oxide thickness
double integral
scaling down
static characteristic
device simulation
theoretical model
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型
被引量：3
- 3
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作者
杨银堂
王凤娟
朱樟明
刘晓贤
丁瑞雪
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室
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出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第12期3011-3017,共7页
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基金
国家自然科学基金(61006028
61204044)资助课题
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文摘
该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。
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关键词
集成电路
锥型硅通孔
寄生电容
MOS效应
泊松方程
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Keywords
Integrated circuit
Tapered Through-Silicon-Vias （TSV）
Parasitic capacitance
MOS effect
Poisson＇s equation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响
被引量：5
- 4
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作者
赵广才
李培咸
郝跃
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期624-627,共4页
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基金
国家自然科学基金重点(60736033)资助项目
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文摘
使用熔融的KOH在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了GaN材料的外延生长。通过X射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机理。
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关键词
图形衬底
金属有机物化学气相沉积
氮化镓
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Keywords
patterned sapphire substrates
metal-organic chemical vapor deposition
GaN
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分类号
O484.1
[理学—固体物理]
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题名嵌入式SRAM的低功耗优化及测试
被引量：1
- 5
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作者
王江安
庄奕琪
靳钊
李迪
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室
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出处
《计算机科学》
CSCD
北大核心
2010年第7期301-302,F0003,共3页
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基金
863国家重点基金项目(2003AA1Z1410)
国家自然科学基金(60276028)资助
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文摘
为了降低SRAM的功耗,提出了一种优化的SRAM。对改变较快的输入端引入操作数隔离技术,对比较电路的多位数据进行总线数据分割;给较大的时钟网络增加门控时钟,引入多种电源控制模式并增加隔离逻辑;将SRAM64K×32分解为8个SRAM8K×32子块,由八选一逻辑通过各子块的片选信号相连,使得同时只有一个子块处于读写状态。将优化的SRAM64K×32应用到SOC中,并通过增加旁路逻辑来测试各部分功耗。该SOC经90nmCMOS工艺成功流片。测试结果表明,优化的SRAM64K×32功耗降低了29.569%,面积仅增加了0.836%。
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关键词
低功耗
操作数隔离
总线数据分割
电源控制模式
旁路逻辑
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Keywords
Low power, Isolation of operation data, Division of bus data, Mode of power control, Bypass logic
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分类号
TP402
[自动化与计算机技术]
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题名小数乘法器的低功耗设计与实现
被引量：1
- 6
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作者
袁博
刘红侠
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机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室
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出处
《数据采集与处理》
CSCD
北大核心
2013年第3期376-381,共6页
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基金
国家自然科学基金(60976068)资助项目
教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083)资助项目
教育部博士点基金(200807010010)资助项目
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文摘
提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题。该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系统运算精度、不增加额外逻辑单元的条件下,大幅降低系统功耗和面积。在使用该算法对某一射频模块进行优化后,硬件测试结果显示该射频模块对某型号FPGA的逻辑占用率相比优化前降低17.9%,寄存器总数降低30.7%,存储单元占用率降低21.5%。该算法适用于对含有大量小数乘法运算的系统进行低功耗优化。
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关键词
小数乘法器
低功耗设计
数据宽度
优化逻辑
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Keywords
decimal multiplication
low-power methodology design
data width
optimizationlogic
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分类号
TN702
[电子电信—电路与系统]
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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