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电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法 被引量：1
1
作者 李伟华 庄奕琪 +2 位作者 杜磊 包军林 马中发 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1059-1062,1091,共5页
基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件... 基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析,表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号,并可以用该方法进行有效区分.研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据. 展开更多
关键词 电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量 高斯性 线性
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适用于高速信号传输的低失真及宽带模拟开关 被引量：1
2
作者 曹寒梅 蔡伟 +2 位作者 杨银堂 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期838-841,共4页
提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本... 提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本消除了体效应的影响．采用TSMC0．18μmCMOS工艺，HSPICE仿真结果表明，输入信号在0～1．8V之间变化时，开关的KGST基本保持恒定，其-3dB带宽大于10GHz；当输入信号的频率为1．5GHz，满摆幅电压为0．8V时，输出信号几乎能够无衰减的跟随输入信号，其无杂散动态范围为65．4dB． 展开更多
关键词 低失真 高频 轨到轨 开关 自举
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AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
3
作者 刘红侠 卢风铭 +2 位作者 王勇淮 宋大建 武毅 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期147-151,共5页
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、... 为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点. 展开更多
关键词 AlxGa1-xN/GaN异质结 二维电子气 多子带模型 能级分布
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一种新型无源UHFRFID带隙基准电路 被引量：8
4
作者 杜永乾 庄奕琪 +2 位作者 李小明 景鑫 戴力 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期148-152,200,共6页
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0... 设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16dBm. 展开更多
关键词 超高频射频识别 低压 低功耗 亚阈值 带隙基准
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掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究 被引量：9
5
作者 宋久旭 杨银堂 +2 位作者 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-91,共5页
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超... 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 展开更多
关键词 掺氮 3C—SiC 电子结构 第一性原理计算
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纳米MOS器件RTS噪声测量与分析 被引量：5
6
作者 张鹏 庄奕琪 +3 位作者 鲍立 马中发 包军林 李伟华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报... 提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍. 展开更多
关键词 随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器 纳米MOS器件
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一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源 被引量：6
7
作者 曹寒梅 杨银堂 +2 位作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期620-623,共4页
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm... 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中. 展开更多
关键词 负反馈箝位 带隙电压基准源 高温度稳定性
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PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究 被引量：3
8
作者 娄利飞 肖斌 +2 位作者 汪家友 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期555-558,598,共5页
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率... 以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素. 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
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ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响 被引量：3
9
作者 匡潜玮 刘红侠 +2 位作者 樊继斌 马飞 张言雷 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期164-167,共4页
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分... 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少. 展开更多
关键词 高K栅介质 二氧化铪 原子层淀积 生长温度 氧化层缺陷
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逐次逼近ADC无源器件的匹配性与高层次模型 被引量：3
10
作者 佟星元 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 刘帘曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期123-129,共7页
对逐次逼近A/D转换器的无源器件匹配性进行了研究.基于理论分析,明确了电荷再分配结构、电压等比例缩放结构以及混合结构等几种典型逐次逼近A/D转换器对无源器件网络匹配性的具体要求,并利用Matlab工具,通过建立逐次逼近A/D转换器无源... 对逐次逼近A/D转换器的无源器件匹配性进行了研究.基于理论分析,明确了电荷再分配结构、电压等比例缩放结构以及混合结构等几种典型逐次逼近A/D转换器对无源器件网络匹配性的具体要求,并利用Matlab工具,通过建立逐次逼近A/D转换器无源器件匹配性高层次模型对理论分析结果进行了验证.在此基础上提出了一种基于单位电容缩放的新型电荷再分配结构,在不提高无源器件匹配性要求的前提下,利用单位电容取代原有缩放电容并增加一定的时序控制,有效地解决了传统电容缩放结构中缩放电容工艺实现困难以及对寄生电容敏感的问题,适合片上系统的嵌入式应用. 展开更多
关键词 模数转换器 逐次逼近 无源器件 匹配性 高层次模型
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沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响 被引量：2
11
作者 吴晓鹏 杨银堂 +1 位作者 刘海霞 董刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期113-117,共5页
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条件下保护器件的I-V特性.基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果,分析了相关物理机制.研究结果表明,沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况,同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性.利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地N型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制,对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导. 展开更多
关键词 沟道宽度 沟道长度 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体
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应变Si1-xGex(100)电子散射几率 被引量：2
12
作者 赵丽霞 张鹤鸣 +1 位作者 宣荣喜 胡辉勇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期86-89,105,共5页
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2... 基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关. 展开更多
关键词 应变Si1-xGex 电子 散射
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新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究 被引量：3
13
作者 蔡乃琼 刘红侠 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期513-516,共4页
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺... 对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流. 展开更多
关键词 二氧化铪 C-V特性 界面态 氧化层陷阱
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多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征 被引量：1
14
作者 贾护军 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期298-300,330,共4页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶... 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111>晶向择优生长的特点. 展开更多
关键词 多晶碳化硅薄膜 多孔硅 常压化学气相淀积 生长 表征
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一种P沟VDMOS器件的研究与实现 被引量：2
15
作者 蒲石 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期58-61,共4页
分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据... 分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据此研制出了耐压值80V、输出电流14A的P沟VDMOS.测试了其静态和动态参数,均达到了设计要求. 展开更多
关键词 P沟VDMOS 外延层优化 结终端技术
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深亚微米电路N MOS器件HCI退化建模与仿真
16
作者 李康 马晓华 +2 位作者 郝跃 陈海峰 王俊平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期721-724,753,共5页
提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区... 提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模,提高了模型描述器件退化的准确度.用基于0.25μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证,测试数据与仿真结果吻合得很好. 展开更多
关键词 深亚微米NMOSFET 热载流子注入退化 ΔId模型 电路可靠性
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漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
17
作者 吴晓鹏 杨银堂 +1 位作者 董刚 高海霞 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期26-30,共5页
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间... 研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势. 展开更多
关键词 漏极接触孔到栅间距 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体
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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术
18
作者 丁瑞雪 杨银堂 韩茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期280-283,共4页
采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,... 采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10nm深度的部分。 展开更多
关键词 碳化硅 感应耦合等离子体 刻蚀速率 XPS
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纤锌矿型GaN电子迁移率的计算
19
作者 杨燕 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期513-517,共5页
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓... 考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大. 展开更多
关键词 氮化镓 电子漂移迁移率 霍耳因子 霍耳迁移率 补偿率
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针对定点小数乘法器位宽的优化算法
20
作者 袁博 刘红侠 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期113-118,共6页
提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法,阐述了其基本原理及实现方案,并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试,验证了该算法的低功耗优化效果.在算法上,其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽;而在实现技术上... 提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法,阐述了其基本原理及实现方案,并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试,验证了该算法的低功耗优化效果.在算法上,其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽;而在实现技术上,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统,从而降低了系统优化效果的问题.该算法适用于对含有大量小数乘法运算的系统进行低功耗优化,例如数字信号处理、数字滤波器等. 展开更多
关键词 小数乘法 位宽 缺省 逻辑单元 功耗
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