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SRAM的高成品率优化设计技术
被引量：
1
1
作者
周清军
刘红侠
+1 位作者
吴笑峰
陈炽
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期449-454,共6页
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法...
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论。该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW。测试结果表明:优化的SR SRAM64 K×32在每个晶圆上的成品数增加了191个,其成品率提高了13.255%。
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关键词
优化
自我修复静态随机存储器
冗余数据寄存器
成品率
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职称材料
题名
SRAM的高成品率优化设计技术
被引量：
1
1
作者
周清军
刘红侠
吴笑峰
陈炽
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期449-454,共6页
基金
国家自然科学基金资助(60206006)
国防预研基金资助(51308040103)
西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200701)
文摘
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论。该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW。测试结果表明:优化的SR SRAM64 K×32在每个晶圆上的成品数增加了191个,其成品率提高了13.255%。
关键词
优化
自我修复静态随机存储器
冗余数据寄存器
成品率
Keywords
optimize
SR SRAM
RDR
yield
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SRAM的高成品率优化设计技术
周清军
刘红侠
吴笑峰
陈炽
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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