电力电子技术 国际会议(ICPE’95)所见 被引量：1

1

作者 张昌利 吴济钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期4-6,共3页

电力电子技术国际会议（ＩＣＰＥ’９５）所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所（西安７１００６１）应东道国韩国电气学会ＫＩＥＥ（ＫｏｒｅａＩｎ－ｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｎｉｎｇ）的邀请，我们... 电力电子技术国际会议（ＩＣＰＥ’９５）所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所（西安７１００６１）应东道国韩国电气学会ＫＩＥＥ（ＫｏｒｅａＩｎ－ｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｎｉｎｇ）的邀请，我们一行二人参加了韩国汉城Ｗａｌｋｅｒ... 展开更多

关键词 电力电子技术 国际会议 ICPE

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纳米电子技术 被引量：6

2

作者 袁寿财 朱长纯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期6-9,共4页

微电子技术引发了本世纪的信息革命。纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。

关键词 微电子技术 极限 纳米电子技术

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关断过程中 GTO 正向阻断结失效机理的研究 被引量：4

3

作者 张立 刘利贤 +5 位作者 陈志敏 郑同江 季凌云 张昌利 白杰 高占成 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第4期259-263,277,共6页

本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理。在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效。从器件内部载流子的输运规律出... 本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理。在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效。从器件内部载流子的输运规律出发，作者阐述了这三个极限参数引起ＧＴＯ失效的机理，建立了三种不同的失效模式；首次研究了ＧＴＯ关断过程中下降时间内瞬时峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。 展开更多

关键词 正向阻断结 失效机理 晶闸管

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风电场并网对电力系统稳定性影响 被引量：41

4

作者 范李平 杨力森 武粉桃 《电网与清洁能源》 2009年第6期58-61,共4页

稳定性是影响大电网区域互联的关键性因素。随着风电场规模的不断扩大,其接入电网会对电力系统的稳定性带来一定影响。介绍了风力发电系统建模方法及风力发电机模型,分析了风电场并网对电力系统无功电压、潮流分布、电能质量、系统短路... 稳定性是影响大电网区域互联的关键性因素。随着风电场规模的不断扩大,其接入电网会对电力系统的稳定性带来一定影响。介绍了风力发电系统建模方法及风力发电机模型,分析了风电场并网对电力系统无功电压、潮流分布、电能质量、系统短路容量、调峰调频等方面的影响,并对电力发电技术发展新动向作了展望。 展开更多

关键词 风电并网 电压稳定性 动态无功补偿 频率稳定性

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特高压晶闸管结终端造型技术 被引量：2

5

作者 高山城 李罛 +3 位作者 吴飞鸟 吴涛 袁渊 何杉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期129-135,共7页

分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大... 分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化。制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 m A);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化。成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压为8 500 V的特高压晶闸管,其动态特性和参数的一致性满足设计及应用要求。 展开更多

关键词 结终端 变掺杂 类台面 阻断电压 通态电流 通态压降

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电压空间矢量控制的大容量变频调速装置研究 被引量：2

6

作者 朱典旭 张锦生 +1 位作者 赵雅丽 张长安 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 1996年第3期1-5,共5页

本文介绍了采用准１６位单片机（８０９８）实现电压空间矢量控制的ＰＥＲＩ１５０Ｇ３－４Ａ大容量变频调速装置及其系统，详尽论述了影响实现大容量变频调速装置的主要参数及解决方法，解决了大功率晶体管并联技术，无损耗吸收技术等... 本文介绍了采用准１６位单片机（８０９８）实现电压空间矢量控制的ＰＥＲＩ１５０Ｇ３－４Ａ大容量变频调速装置及其系统，详尽论述了影响实现大容量变频调速装置的主要参数及解决方法，解决了大功率晶体管并联技术，无损耗吸收技术等，研制出１５０ｋＶＡ变频调速装置，并已提供用户使用。运行结果表明，ＰＥＲＩ１５０Ｇ３－４Ａ变频调速装置不仅容量大，而且工作稳定，可靠性高，性能指标优良。 展开更多

关键词 电压控制 矢量控制 变频调速

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门极换向晶闸管的纵向结构研究 被引量：1

7

作者 王颖 朱长纯 +1 位作者 吴春瑜 白继彬 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期849-852,共4页

基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结... 基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结构参数进行了优化.采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构,实验结果表明:当腐蚀的深度大于20μm后,由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触,使得腐蚀反应速率下降,且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为0 8,此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据. 展开更多

关键词 隔离结构 工艺模拟 腐蚀

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提高IGBT开关速度的技术

8

作者 袁寿财 朱长纯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期9-12,共4页

简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果，并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。

关键词 绝缘栅 双极晶体管 开关时间 辐照 IGBT

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平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计

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作者 王彩琳 聂代祚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期40-44,共5页

通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析，指出了传统设计方法的缺点，提出了一种新的优化设计方法，使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配。

关键词 平面型 电力半导体器件 击穿电压

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电气比例阀在液压夹具中的应用研究 被引量：5

10

作者 肖秦梁 李更生 +1 位作者 乔宇 张永健 《机床与液压》 北大核心 2014年第1期31-33,共3页

大功率电力半导体器件是电力电子行业的基础和核心。随着电力半导体器件产量越来越大,功率和电压等级越来越高,对其测试效率和测试质量的要求也越来越高。压力夹具是大功率半导体器件测试必不可少的环节,因此研制高效率、低成本及技术... 大功率电力半导体器件是电力电子行业的基础和核心。随着电力半导体器件产量越来越大,功率和电压等级越来越高,对其测试效率和测试质量的要求也越来越高。压力夹具是大功率半导体器件测试必不可少的环节,因此研制高效率、低成本及技术先进的大功率半导体器件测试压力夹具十分必要。采用电气比例阀控制气液增压缸压力技术研制一种新型压力夹具,实验结果表明:该夹具在相当大的范围内具有很好的控制精度和线性度。 展开更多

关键词 电气比例阀 液压夹具 压力控制

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电力半导体器件的现状及发展趋势 被引量：1

11

作者 陈烨 吴济钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。 展开更多

关键词 电力半导体器件 集成电路 MOS控制晶闸管

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电力电气控制阀的电压节能控制方法 被引量：4

12

作者 颜玉玲 武粉桃 《电网与清洁能源》 北大核心 2015年第8期6-9,共4页

在对电力电气控制阀的设计中,由于采用传统方法电气控制阀工作电压运用不合理,导致电力在电气方面能耗多。提出一种基于多层低误差神经网络的电压调节方法,将其应用到电力电气控制阀中,通过采用电力电气系统电压控制模型,消除当前存在... 在对电力电气控制阀的设计中,由于采用传统方法电气控制阀工作电压运用不合理,导致电力在电气方面能耗多。提出一种基于多层低误差神经网络的电压调节方法,将其应用到电力电气控制阀中,通过采用电力电气系统电压控制模型,消除当前存在的电力电气控制阀电压控制中的过控制和模糊控制等弊端,实现对电气控制阀电压幅度的准确控制,达到节能的目的。实验结果表明,该模型可以对电力电气控制阀的电压实现高精度控制,在电力节能方面起到了很好的效果。 展开更多

关键词 电压节能 动态电压 神经网络 模糊控制

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采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究

13

作者 黄晓东 曾光 +2 位作者 郑强 明正峰 吴江峰 《西安理工大学学报》 CAS 2004年第3期254-258,共5页

提出了一种控制简单的谐振极零电压过渡(RPZVT)软开关逆变器应用于异步电机直接转矩控制的新方案,介绍了详细的设计思路和原则,并通过仿真试验说明了此软开关技术逆变器在直接转矩控制应用中的可行性。

关键词 谐振极零电压过渡 软开关 直接转矩控制

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新型整流器的研究与应用

14

作者 高军才 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1226-1227,共2页

随着行业的发展,高电压、大电流、运行安全可靠的新结构大功率整流器成为紧迫需要。研究了非同相逆并联同极单元上下结构整流器的技术方案及设计特点,设计出一种结构新颖、使用安全、性能优良的新型大功率整流器,并成功应用于工业使用... 随着行业的发展,高电压、大电流、运行安全可靠的新结构大功率整流器成为紧迫需要。研究了非同相逆并联同极单元上下结构整流器的技术方案及设计特点,设计出一种结构新颖、使用安全、性能优良的新型大功率整流器,并成功应用于工业使用现场。 展开更多

关键词 整流器 三相桥式 非同相逆并联 电解铝 二极管整流

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发光层混合掺杂的白光OLED器件 被引量：21

15

作者 马颖 韩薇 +3 位作者 张方辉 袁桃利 刘丁涵 蒋谦 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期40-43,共4页

制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB... 制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN:TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6～8nm时得到色坐标较好的白光器件。 展开更多

关键词 有机电致发光 白光 掺杂

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X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 被引量：8

16

作者 马颖 韩薇 张方辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期314-317,共4页

采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶... 采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的方阻最小。 展开更多

关键词 ITO膜 热处理温度 X射线衍射分析 溶胶-凝胶法

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特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计 被引量：4

17

作者 高山城 罗艳红 +3 位作者 张婷婷 赵卫 高飞 李翀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期752-757,共6页

基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计... 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。 展开更多

关键词 阻断电压 通流能力 通态压降 反向恢复电荷 关断时间

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结合方差和方向的指纹图像分割算法 被引量：6

18

作者 蔡秀梅 张永健 梁辉 《现代电子技术》 2011年第12期111-113,共3页

指纹图像分割指从图像背景中分离出有用的指纹区域的过程。良好的指纹分割能够有效提高特征提取精度和减少后续处理时间,在指纹图像预处理中具有重要作用。结合指纹图像灰度方差和方向信息,提出一种指纹图像分割算法。将指纹图像分块,... 指纹图像分割指从图像背景中分离出有用的指纹区域的过程。良好的指纹分割能够有效提高特征提取精度和减少后续处理时间,在指纹图像预处理中具有重要作用。结合指纹图像灰度方差和方向信息,提出一种指纹图像分割算法。将指纹图像分块,计算每块灰度方差和点方向图,根据图像块方差和点方向一致性设定两种分割阈值实现基于方差和方向的指纹图像分割。实验结果表明该算法兼具方差法和方向法的优点,简单快速,是一种有效的指纹图像分割方法。 展开更多

关键词 指纹图像 指纹分割 方差 方向图

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基于直线位移传感器的机械手柔性控制 被引量：4

19

作者 马宁强 张琦 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2013年第9期58-60,共3页

在双极性功率半导体器件如晶闸管的制造工艺中,需要对经过激光割圆工艺切割后的芯片进行喷砂整形,以符合后续工艺对外观形状的精密要求,目前工艺中使用的喷砂设备的喷嘴进给系统均采用手动丝杆调节,难以保证加工的一致性和精度要求。现... 在双极性功率半导体器件如晶闸管的制造工艺中,需要对经过激光割圆工艺切割后的芯片进行喷砂整形,以符合后续工艺对外观形状的精密要求,目前工艺中使用的喷砂设备的喷嘴进给系统均采用手动丝杆调节,难以保证加工的一致性和精度要求。现采用直线位移传感器作为进给位置反馈元件,伺服系统作为执行机构,应用自动控制理论,设计包含速度控制内环和位移控制外环的双闭环机械手系统,该系统能采样并模拟人工连续进给柔性操作过程,实现工艺过程的智能化,提高了产品的加工制造水平。 展开更多

关键词 功率半导体 喷砂工艺 智能机械手 伺服控制

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三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计 被引量：1

20

作者 王彩琳 李建华 高勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期57-61,共5页

通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制了样品，测试表明，计算结果与实验结果符合得很好。

关键词 三级达林顿 体耐压 CAD 电力晶体管 GTR

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