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喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能
被引量：
4
1
作者
景亚霓
胡文华
+3 位作者
张平
魏志芬
唐正宁
钟传杰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期656-660,共5页
利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜,研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未...
利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜,研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096eV减小为0.046eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度。
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关键词
PEDOT/PSS
喷墨印刷
导电聚合物薄膜
导电性能
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职称材料
Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究
2
作者
景亚霓
滕支刚
魏志芬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1077-1082,共6页
利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁...
利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。
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关键词
Tips-Pentacene
空间电荷限制电流
阻抗谱
迁移率
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职称材料
题名
喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能
被引量：
4
1
作者
景亚霓
胡文华
张平
魏志芬
唐正宁
钟传杰
机构
江南大学信息工程学院
西安电力整流器有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期656-660,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60776056)
文摘
利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜,研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096eV减小为0.046eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度。
关键词
PEDOT/PSS
喷墨印刷
导电聚合物薄膜
导电性能
Keywords
PEDOT/PSS； inkjet printing； conducting polymer film； conductive properties；
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究
2
作者
景亚霓
滕支刚
魏志芬
机构
江南大学物联网工程学院
西安电力整流器有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1077-1082,共6页
基金
国家自然科学基金项目(No.60776056)
文摘
利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。
关键词
Tips-Pentacene
空间电荷限制电流
阻抗谱
迁移率
Keywords
Tips-Pentacene
space charge limited current
impedance spectroscopy
mobility
分类号
TN311.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能
景亚霓
胡文华
张平
魏志芬
唐正宁
钟传杰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究
景亚霓
滕支刚
魏志芬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
已选择
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