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偏振可调的太赫兹砷化镓光电导天线阵列研究
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作者 董陈岗 施卫 +3 位作者 韩小卫 王志全 王欣 张修兴 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第2期177-183,共7页
光电导天线阵列作为太赫兹辐射的重要发射器件,传统天线因固定偏振状态而限制了其应用的灵活性。针对这一问题,设计并研究了一种偏振可调的四元太赫兹砷化镓光电导天线阵列,旨在增强其在应用中的多功能性和适用性。该天线阵列通过精细... 光电导天线阵列作为太赫兹辐射的重要发射器件,传统天线因固定偏振状态而限制了其应用的灵活性。针对这一问题,设计并研究了一种偏振可调的四元太赫兹砷化镓光电导天线阵列,旨在增强其在应用中的多功能性和适用性。该天线阵列通过精细控制阵元的激励方式,采用同相不等幅激励和90°相差激励两种方式,实现线偏振和圆偏振太赫兹波的精确调控。结果表明,采用同相不等幅激励时,实现了线偏振太赫兹波在360°范围内的灵活调控;采用90°相差激励时,产生了圆偏振太赫兹波,其-10 dB阻抗带宽范围为0.057~1.013 THz,相对带宽为178.69%;轴比带宽范围为0.815~0.947 THz,相对带宽为14.98%。 展开更多
关键词 光电导天线阵列 太赫兹辐射 激励调控
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光电导天线材料对辐射太赫兹波特性的模拟分析
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作者 侯磊 吴晓博 +2 位作者 杨磊 施卫 杭玉桦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期551-556,共6页
光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功... 光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功率更有利。本文利用大孔径光电导天线的电流瞬冲模型,对常用光电导天线材料(SI-GaAs、LT-GaAs)和未来有望应用于光电导天线的第三代半导体材料(ZnSe、GaN、SiC)辐射太赫兹波的特性进行了仿真研究,结果表明在相同偏置电场和各自最高光通量触发下,LT-GaAs天线辐射太赫兹波的幅值最高、频谱最宽;第三代半导体材料制备的天线可以承受更高的偏置电场,在各自的最大偏置电场下辐射太赫兹波的强度远远大于GaAs天线。本工作对研制新型的第三代半导体光电导天线提供了理论指导。 展开更多
关键词 太赫兹辐射 第三代半导体材料 电流瞬冲模型 光电导天线
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基于超表面的超宽带线极化转换特性研究 被引量:3
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作者 王玥 姚震宇 +4 位作者 崔子健 朱永强 张达篪 胡辉 张狂 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第12期4116-4124,共9页
极化转换在太赫兹调制领域具有重要的研究意义和应用价值。传统的极化转换器件存在尺寸大、集成度低、损耗高、带宽窄等诸多不足。该文提出一种对称“山”型超表面共振单元结构,可用于实现反射、透射极化转换器件的设计。其中反射型器... 极化转换在太赫兹调制领域具有重要的研究意义和应用价值。传统的极化转换器件存在尺寸大、集成度低、损耗高、带宽窄等诸多不足。该文提出一种对称“山”型超表面共振单元结构,可用于实现反射、透射极化转换器件的设计。其中反射型器件实现了极高极化转换率的宽带线极化转换,透射型器件实现了相对带宽达135.5%的超宽带线极化转换。采用各向异性理论分析了反射型器件产生极化转换的机制,并基于多重干涉理论对共振结构阵列与金属背板构成的类F-P腔进行了计算,计算结果与仿真吻合较好。进一步使用正交线栅类F-P腔与共振结构阵列,构成透射型器件,并深入分析了共振单元结构不同部分对宽带极化转换的贡献,讨论了不同结构形成的极化转换频段间的耦合方式。研究结果为基于固定相位差的超宽带偏振极化转换器件的实现以及超表面类F-P腔应用提供了新的思路。 展开更多
关键词 超表面 极化转换 各向异性 多重干涉
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