计算机控制系统中采样周期的选择 被引量：3

1

作者 金孚安 《基础自动化》 CSCD 1995年第3期39-42,共4页

提出在连续域—离散化设计方法中利用系统的相位裕量确定采样周期的最大值的方法。该方法具有一定应用价值。

关键词 计算机控制 采样周期 自动控制

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卷筒包装纸无触点进退式定位控制系统

2

作者 徐锦林 陈素明 《西安理工大学学报》 CAS 1995年第2期102-105,共4页

提出在卷筒包装纸进退式光电定位系统中，采用无触点（全电子式）比较判别及控制电路，替代目前常用的触．点式同类电路。介绍了无触点控制电路的构成和工作原理，给出了逻辑电路图和工作波形图。

关键词 卷筒包装纸 无触点 定位控制 自动包装机 印刷

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一类多测点系统的智能化决策方法

3

作者 李敏远 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期216-218,共3页

本文以人工智能原理和模糊推理为基础，分析了一类多测点系统中决策测点的智能化方法，并给出实现自动测试系统的智能化决策算法．实验结果表明，本文所述方法是成功的．

关键词 测试系统 智能决策 模糊推理 人工智能

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采用8098单片机实现M／T法转速检测 被引量：2

4

作者 李强 万伯任 张毅坤 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第1期36-41,共6页

本文根据变Ｍ／Ｔ法原理，采用ＭＣＳ９６系列８０９８单片机实现了光电码盘全数字化转速检测。文中给出了具体的线路、相应的程序框图及试验结果。由于该方案充分利用了８０９８单片机的功能，使其具有线路简单、测速范围宽、精度高的... 本文根据变Ｍ／Ｔ法原理，采用ＭＣＳ９６系列８０９８单片机实现了光电码盘全数字化转速检测。文中给出了具体的线路、相应的程序框图及试验结果。由于该方案充分利用了８０９８单片机的功能，使其具有线路简单、测速范围宽、精度高的特点。 展开更多

关键词 变M/T法 单片机 全数字化 转速

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大功率电流型晶闸管变频器低频PWM换流过程分析 被引量：1

5

作者 张毅坤 刘军 徐平 《西安理工大学学报》 CAS 1995年第3期193-197,共5页

从换流原理、假设条件出发，对大功率电流型晶闸管变频器如何实现低频ＰＷＭ换流进行了较为详细地分析，提出了该变频应用于低频时应注意的问题，同时首次给出了此类变频器低频ＰＷＭ调制加二重化技术所产生的理论输出波形，可供工程实... 从换流原理、假设条件出发，对大功率电流型晶闸管变频器如何实现低频ＰＷＭ换流进行了较为详细地分析，提出了该变频应用于低频时应注意的问题，同时首次给出了此类变频器低频ＰＷＭ调制加二重化技术所产生的理论输出波形，可供工程实践中参考。 展开更多

关键词 晶闸管 电流型 变频器 PWM 换流

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工业PC和PLC通讯设计 被引量：2

6

作者 孙强 许开君 李炳彦 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第2期117-121,共5页

在工业过程的计算机监控系统中，上、下位机既彼此独立，又相互联系，层次之间的通讯是一个关键的问题。本文是笔者在为某厂大型机床的计算机监控系统顺控部分研制工作的基础上，从硬、软件及通讯方式的选择等方面详细介绍了，由工业Ｐ... 在工业过程的计算机监控系统中，上、下位机既彼此独立，又相互联系，层次之间的通讯是一个关键的问题。本文是笔者在为某厂大型机床的计算机监控系统顺控部分研制工作的基础上，从硬、软件及通讯方式的选择等方面详细介绍了，由工业ＰＣ作为上位机，可编程控制器（ＰＬＣ）作为下位机的通讯设计。 展开更多

关键词 工业控制机 通信 中断 程序控制器

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一类模糊神经元网络控制器及其仿真 被引量：1

7

作者 侯志林 李秋娥 金毅 《西安理工大学学报》 CAS 1995年第2期107-115,共9页

针对复杂非线性系统的模糊神经元网络方法控制中，模糊子集合的划分、隶属函数和推理规则的拟定问题进行了研讨，并以此设计了一类模糊神经元网络控制器（ＦＮＮＣ），给出了学习算法和仿真研究结果．

关键词 模糊控制 神经元网络 控制器 仿真

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连续非对称神经网络的动力学特性 被引量：4

8

作者 刘小河 《电子科学学刊》 CSCD 1995年第4期352-358,共7页

本文讨论了连续非对称神经网络的动力学特性,给出了神经网络有唯一平衡点的条件,并讨论了当连接距阵T变化时不产生静态分叉和Hopf分叉的条件,给出了平衡点的全局渐近稳定性和全局指数稳定性的充分条件。

关键词 连续神经网络 非线性动力学 平衡点 稳定性

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功率半导体器件少子寿命测试仪

9

作者 李福德 安涛 王全计 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期58-60,62,共4页

采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τ＿（Ｐ大）＝２τ＿（Ｐ小）可得到整流管、晶闸管大注入... 采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τ＿（Ｐ大）＝２τ＿（Ｐ小）可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。 展开更多

关键词 功率半导体器件 少子寿命 线性电流法

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晶闸管维持电流试验装置

10

作者 李福德 《实验技术与管理》 CAS 1994年第3期53-54,共2页

晶闸管由阻断状态转变到导通状态后,门极便失去了控制作用,要使器件再恢复阻断状态,必须使器件中的电流减小到维持电流以下。所谓维持电流(I_H)是指规定的环境温度下,门极断开后,晶闸管从较大的通态电流降至刚好能维持其导通时所必须的... 晶闸管由阻断状态转变到导通状态后,门极便失去了控制作用,要使器件再恢复阻断状态,必须使器件中的电流减小到维持电流以下。所谓维持电流(I_H)是指规定的环境温度下,门极断开后,晶闸管从较大的通态电流降至刚好能维持其导通时所必须的阳极最小电流。它是晶闸管导通状态与关断状态的分界点,是晶闸管的特性参数之一。 展开更多

关键词 晶闸管 维持电流 试验室设备

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多孔硅的形成及可见光发射

11

作者 田敬民 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第2期105-110,共6页

多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌，对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论，并介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题。

关键词 多孔硅 电致发光 光致发光 硅薄膜

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高压低饱和压降GTR最佳设计

12

作者 张华曹 张球梅 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第2期111-116,共6页

本文提出了高压低饱和压降ＧＴＲ的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通因子（Ｎ＝Ｗｅ／Ｘｍ）的最佳值为０．７左右。在此范围内，在保证高击穿电压的条件下，可使他... 本文提出了高压低饱和压降ＧＴＲ的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通因子（Ｎ＝Ｗｅ／Ｘｍ）的最佳值为０．７左右。在此范围内，在保证高击穿电压的条件下，可使他和压降ＵＣＥＲ较低，发射极面积Ａｅ最小，大注入下的电流增益大。 展开更多

关键词 GTR 低饱和压降 穿通 功率晶体管

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功率MOSFET安全工作区的确定 被引量：5

13

作者 张球梅 张华曹 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第4期278-283,共6页

本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重新确定功率ＭＯＳＦＥＴ器件的安全工作区，为正确使用该器件和设计电路... 本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重新确定功率ＭＯＳＦＥＴ器件的安全工作区，为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。 展开更多

关键词 功率MOSFET 安全工作区 场效应晶体管

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MCZ单晶炉内磁场的计算

14

作者 晁立东 崔杜武 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第3期196-200,共5页

本文采用数值积分法计算ＭＣＺ单晶炉内的磁场。文中给出了计算程序框图及数值解。分析讨论的结果可供设计ＭＣＺ单晶炉的磁场发生装置时参考。

关键词 MCZ单晶炉 励磁线圈 磁感应强度 单晶炉

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