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金属氧化物半导体SnO_2气敏传感器被引量：8: 1; 作者田敬民《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第2期50-55,共6页; SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位。; 关键词金属氧化物氧化锡气敏传感器传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

SnO_2气体传感器的复阻抗谱研究被引量：3: 2; 作者田敬民《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期113-118,共6页; 本文研究了静电喷雾高温分解工艺制备的ＳｎＯ２薄膜气体传感器在不同温度与气氛条件下的复阻抗谱，根据等效电路模型与复阻抗谱的变化，分析了电导调制机构与气敏机理，基于气体在晶界与表面吸附效应提出了气体敏感的物理化学模型．; 关键词二氧化锡复阻抗谱气体传感器敏感性; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率晶体管（GTR）工艺的计算机模拟: 3; 作者高勇高彦明陈治明《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期37-39,共3页; 针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注入引入ＧＴＲ工艺，对改进ＧＴＲ工艺具有一... 展开更多; 关键词大功率晶体管工艺模拟杂质分析 GTR; 在线阅读下载PDF 职称材料