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用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚石薄膜(英文)
被引量：
6
1
作者
张志勇
王雪文
+2 位作者
赵武
戴琨
陈治明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期450-453,共4页
以甲烷和氢气的混合气体为原料 ,用热丝化学汽相淀积法 ,在 ( 1 0 0 )硅衬底上 80 0℃温度时异质生长出适合场发射的金刚石薄膜 .然后用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和喇曼光谱仪等对其进行了分析 ,结果表明 ,所制备的...
以甲烷和氢气的混合气体为原料 ,用热丝化学汽相淀积法 ,在 ( 1 0 0 )硅衬底上 80 0℃温度时异质生长出适合场发射的金刚石薄膜 .然后用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和喇曼光谱仪等对其进行了分析 ,结果表明 ,所制备的薄膜是多晶金刚石 ,而且在 ( 1 1 1 )晶相择优生长 .在扫描电子显微镜下 ( 1 1 1 )晶粒的外形几乎都是四面体结构 ,具有很多尖端 ,可以加强一定电压下的电场 。
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关键词
金刚石薄膜
场发射冷阴极
热丝化学气相沉积法
特性分析
热丝CVD
制备
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职称材料
题名
用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚石薄膜(英文)
被引量：
6
1
作者
张志勇
王雪文
赵武
戴琨
陈治明
机构
西安理工大学应用电子系
西北
大学
电子
科学
系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期450-453,共4页
文摘
以甲烷和氢气的混合气体为原料 ,用热丝化学汽相淀积法 ,在 ( 1 0 0 )硅衬底上 80 0℃温度时异质生长出适合场发射的金刚石薄膜 .然后用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和喇曼光谱仪等对其进行了分析 ,结果表明 ,所制备的薄膜是多晶金刚石 ,而且在 ( 1 1 1 )晶相择优生长 .在扫描电子显微镜下 ( 1 1 1 )晶粒的外形几乎都是四面体结构 ,具有很多尖端 ,可以加强一定电压下的电场 。
关键词
金刚石薄膜
场发射冷阴极
热丝化学气相沉积法
特性分析
热丝CVD
制备
Keywords
Diamond films
Field emission
HFCVD
Characterizations analysis
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O462.4 [理学—电子物理学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚石薄膜(英文)
张志勇
王雪文
赵武
戴琨
陈治明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
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